Samsung PM983 MZ1LB1T9HALS - SSD - 1,92TB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (MZ1LB1T9HALS-00007)

Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKHW240A401 EAN/UPC 0735858258838 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 10 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology,

Kurzinfo: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT1000P1SSD8 Modell P1 EAN/UPC Produktbeschreibung: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Leistung SSD-Leistung 200 TB Interner Datendurchsatz 2000 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 170000 IOPS 4 KB Random Write 240000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Software

Kurzinfo: Lenovo ThinkPad - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 4XB0K48501 Modell ThinkPad EAN/UPC Produktbeschreibung: Lenovo ThinkPad - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Schnittstelle SATA 6Gb/s Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Schnittstelle SATA 6Gb/s

Kurzinfo: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Other World Computing Hersteller Art. Nr. OWCS3DAPB4MB02 Modell Aura Pro X EAN/UPC 0812437028096 Produktbeschreibung: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Leistung Interner Datendurchsatz 1352 MBps (lesen)/ 1066 MBps (Schreiben) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Apple MacOS X 10.13 oder höher

Das Delock IDE Flash Speichermodul ist mit seinen Maßen sehr klein und ideal für den Gebrauch unter rauen Betriebsbedingungen und für den Einsatz in PCs, Set-Top Boxen und anderen Geräten in der Industrie konzipiert. Mit der integrierten elektronischen Fehlerkorrektur (ECC) wird ein sicherer Datentransfer gewährt. Stromsparmodus und automatische Abschaltung erhöhen die Energieeffizienz. Delock IDE Flash Speichermodule sind aufgrund ihrer Zuverlässigkeit und hohen Datentransferrate hervorragend für den industriellen Einsatz geeignet. Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54144 EAN Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 5.7 cm x 2.2 cm x 6 mm Kapazität 1 GB Schnittstellen Typ IDE Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Breite 5.7 cm Tiefe 2.2 cm Höhe 6