Fujitsu Highend - SSD - 256 GB - intern - M.2 - PCI Express (NVMe) - für Celsius M770power

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B30068 EAN/UPC 8717306638067 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-D Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 164 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s

Kurzinfo: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL1T6HAJQ-00005 Modell PM1725b MZWLL1T6HAJQ EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 3 Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 720000 IOPS 4 KB Random Write 135000 IOPS Zuverlässigkeit Dauerbetrieb 24/7 Ja Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 2 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld 2.5"" (6.4 cm)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 4 TB - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPERKX040T701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - 4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz Gewicht 225 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Intenso - Solid-State-Disk - 480 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller Intenso Hersteller Art. Nr. 3834450 Modell EAN/UPC 4034303026654 Produktbeschreibung: Intenso - Solid-State-Disk - 480 GB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 480 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Advanced 3D NAND Technology, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 4 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 480 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Advanced 3D NAND Technology, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 4 mm Gewicht 7 g Leistung Interner Datendurchsatz 1700 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Umgebungsbedingungen