SANDISK X600 SSD M.2 2280 256GB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-256G-1122)

Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 1.92 TB - 6.4 cm (2.5"") - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. FTS:ETFSAN1-L Modell EAN/UPC 4057185696739 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 1.92 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk Kapazität 1.92 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Value Endurance Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk Kapazität 1.92 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Value Endurance Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 12 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 6.4 cm (2.5"")

Kurzinfo: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE820 Modell MTE820 EAN/UPC 0760557839651 Produktbeschreibung: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung,

Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838333 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)

Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280