Transcend MSA630 - SSD - 32GB - intern - PCI Express Mini Card (TS32GMSA630)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 6Gb/s - CRU - für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 00Y2513 Modell Hitachi HUSML4020ASS60 EAN/UPC 4053162580190 Produktbeschreibung: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Preistyp Customer-replaceable Unit (CRU) Entwickelt für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 6Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Preistyp Customer-replaceable

Kurzinfo: Intel Optane SSD DC P4801X Series - Solid-State-Disk - 100 GB - 3D Xpoint (Optane) - intern - M.2 22110 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEL1K100GA01 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Optane SSD DC P4801X Series - Solid-State-Disk - 100 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES Formfaktor M.2 22110 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenpfadschutz Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Formfaktor M.2 22110 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection,

Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T50AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300138 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640,