Lenovo Intel Optane P4800X Performance - SSD - 375 GB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR650, SR850, SR950 (7N47A00081)

Kurzinfo: Transcend PSD520 - Solid-State-Disk - 2 GB - intern (tragbar) - 6.4 cm (2.5"") - IDE/ATA Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Information Hersteller Art. Nr. TS2GPSD520 Modell PSD520 EAN/UPC 0760557826101 Produktbeschreibung: Transcend PSD520 - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE/ATA Typ Solid-State-Disk - intern (tragbar) Kapazität 2 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Stoßfest, DMA unterstützt, Wear Leveling Support, Advanced Power Shield , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 6.985 cm x 10.03 cm x 0.74 cm Gewicht 55 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern (tragbar) Kapazität 2 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Stoßfest, DMA unterstützt, Wear Leveling Support, Advanced Power Shield , S.M.A.R.T. Breite 6.985 cm Tiefe 10.03 cm Höhe 0.74 cm Gewicht 55 g Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunden Erweiterung

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive Pro 7600p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKF256G8X1 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive Pro 7600p Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Leistung SSD-Leistung 144 TB

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA256G801 EAN/UPC 0735858371834 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 2200 MBps (lesen)/

Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial

Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit