Lenovo - SSD - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" (6.4 cm) - SAS 6Gb/s - für System x3100 M5, x3250 M4, x35XX M4, x3650 M4, x3650 M4 HD, x3690 X5, x3850 X5, x3950 X5

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 1PD56AA Modell Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190781704331 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Entwickelt für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Leistung SSD-Leistung 150 TB Interner Datendurchsatz 2800 MBps (lesen)/ 1100 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 250000 IOPS 4 KB Random Write 180000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld

Kurzinfo: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - intern - M.2 - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. NB-2TBM.2/NVME Modell Storage EAN/UPC 5056006148319 Produktbeschreibung: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2

SANDISK X600 SSD M.2 2280 256GB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-256G-1122)

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T50AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300138 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640,

Kurzinfo: Team Group MP32 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Team Group Hersteller Art. Nr. TM8FP3128G0C101 Modell Group MP32 EAN/UPC 0765441041004 Produktbeschreibung: Team Group MP32 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Gewicht 12 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 2.3 mm Gewicht 12 g Leistung Interner Datendurchsatz 1350 MBps (lesen)/ 400 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x2 (NVMe) -

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo