Free
Support
Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z1 G3 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T54AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z1 G3 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z1 G3
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZPLL3T2HMLS-00003 Modell PM1725a MZPLL3T2HMLS EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 167.75 mm x 18.71 mm Gewicht 330 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 167.75 mm Höhe 18.71 mm Gewicht 330 g Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 5 Interner Datendurchsatz 6200 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 1000000 IOPS
Kurzinfo: Fusion-io ioDrive2 - Solid-State-Disk - 785 GB - intern - PCI Express 2.0 x4 - für PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F4522-L781 Modell Fusion-io ioDrive2 EAN/UPC 4051554500900 Produktbeschreibung: Fusion-io ioDrive2 - Solid-State-Disk - 785 GB - PCI Express 2.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 785 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 2.0 x4 Entwickelt für PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 785 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 2.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2
Kurzinfo: Micron - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAK256TDL-1AW12ABYY Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring, 3D NAND-Technologie mit 96 Layern, S.M.A.R.T. Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring,
Kurzinfo: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT1000P1SSD8 Modell P1 EAN/UPC Produktbeschreibung: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Leistung SSD-Leistung 200 TB Interner Datendurchsatz 2000 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 170000 IOPS 4 KB Random Write 240000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Software
Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,