Free
Support
Der Artikel MS4096SAM148 ist eine Speichererweiterung für SAMSUNG RV515, welcher ab Werk mit 4GB RAM ausgestattet ist. Das System SAMSUNG RV515 kann maximal auf 16GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 2 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für SAMSUNG RV515 ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des Herstellers. Schneller, besser durch Speicheraufrüstung,
4GB HP EliteDesk 800 G3 MT, SFF (Z9H59AA)
... FBGA components per module. Total kit capacity is 24GB. The SPDs are programmed to JEDEC standard latency DDR3-1333 timing of 9-9-9 at 1.5V. Each 240-pin DIMM uses gold contact fingers.ValueRAM, Kingston's industry standard memory, delivers award-winning performance and legendary Kingston reliability. When you know what you want, you want ValueRAM.FeaturesJEDEC standard 1.5V (1.425V ~ 1.575V) Power SupplyVDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin8 independent internal bankProgrammable CAS Latency: 9, 8, 7, 6Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clockProgrammable CAS Write Latency(CWL) = 7 (DDR3-1333)8-bit pre-fetchBurst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address ââ¬Å000ââ¬Â only), 4 with tCCD = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]Bi-directional Differential Data StrobeInternal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ñ 1%)On Die Termination using ODT pinAverage Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85ðC, 3.9us at 85ðC < TCASE < 95ðAsynchronous ResetPCB: Height 1.18 inch (30mm), double sided componentExtra InfoMemory Size: 24576MBModule Size: 8192MBMemory Type: DDR3Memory Package: DIMMPin Configuration: 240 pins
Kurzinfo: Origin Storage - DDR4 - 8 GB - SO DIMM 260-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. OM8G42400SO1RX8NE12 Modell Storage EAN/UPC Produktbeschreibung: Origin Storage - DDR4 - 8 GB - SO DIMM 260-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Leistungsmerkmale Single Rank, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Single Rank, ungepuffert Chip-Organisation X8 Spannung 1.2 V
MLC flash-based performance and reliability USB 3.1 Gen 1 interface Up to 400MB/s read speed, and 150MB/s write speed Classic checkerboard design Lightweight and compact Transcend Elite data manage...