Kingston HX424C15FB/4 8GB Desktop Internal Memory

Kurzinfo: Transcend JetMemory - DDR3 - 8 GB : 2 x 4 GB - SO-DIMM, 204-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS8GJMA424H Modell JetMemory EAN/UPC 0760557828679 Produktbeschreibung: Transcend JetMemory - DDR3 - 8 GB : 2 x 4 GB - SO-DIMM, 204-polig Kapazität 8 GB : 2 x 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO-DIMM, 204-polig Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Leistungsmerkmale Single Rank , ungepuffert Spannung 1.5 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB : 2 x 4 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Latenzzeiten CL11 (11-11-11) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank , ungepuffert Chip-Organisation 512 x 8 Spannung 1.5 V Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze

- beliebig oft beschreib- und löschbares Wechselspeichermedium - besonders empfehlenswert für High-End-Digitalkamera s - geeignet für Endgeräte mit CompactFlash Typ-I- und II-Steckplatz - erweitert...

PHS-memory 32GB RAM Speicher für Schenker XMG P707-xkm DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP294471)

Kingston's KSM24ES8/8ME is a 1G x 72-bit (8GB) DDR4-2400 CL17 SDRAM (Synchronous DRAM), 1Rx8, ECC, memory module, based on nine 1G x 8-bit FBGA components. The SPD is programmed to JEDEC standard latency DDR4-2400 timing of 17-17-17 at 1.2V. Each 288-pin DIMM uses gold contact fingers. Key Features - Power Supply: VDD = 1.2V Typical - VDDQ = 1.2V Typical - VPP = 2.5V Typical - VDDSPD = 2.2V to 3.6V - Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals - Low-power auto self refresh (LPASR) - Data bus inversion (DBI) for data bus - On-die VREFDQ generation and calibration - Single-rank - On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM - Temperature sensor with integrated SPD - 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each - Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS) - Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) - Fly-by topology - Terminated control command and address bus - PCB: Height 1.23” (31.25mm) - RoHS Compliant and Halogen-Free Specifications Product Type: RAM Module Memory Size: 8 GB Memory Technology: DDR4 SDRAM Memory Voltage: 1.20 V Memory Speed: 2400 MHz Memory Standard: DDR4-2400/PC4-2400 Error Checking: ECC CAS Latency: CL17 Number of Pins: 288-pin Form Factor: DIMM Width: 1.2" Length: 5.3" Box Contents 1 x Kingston KSM24ES8/8ME 8GB DDR4 2400Mhz ECC Unbufferred Memory RAM DIMM

Kurzinfo: Intel Xeon E5-4669V3 - 2.1 GHz - 18-Core - 45 MB Cache-Speicher - LGA2011-v3 Socket - für ProLiant DL560 Gen9, DL560 Gen9 Base, DL560 Gen9 Entry, DL560 Gen9 Performance Gruppe Prozessor-Upgrades Hersteller Hewlett-Packard Hersteller Art. Nr. 742708-B21 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Xeon E5-4669V3 / 2.1 GHz Prozessor Produkttyp Prozessor Prozessortyp Intel Xeon E5-4669V3 Anz. der Kerne 18-Core Cache-Speicher 45 MB Kompatibler Prozessoranschluss LGA2011-v3 Socket Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 2.1 GHz Herstellungsprozess 22 nm Funktionen Intel QuickPath Technology Entwickelt für ProLiant DL560 Gen9, DL560 Gen9 Base, DL560 Gen9 Entry, DL560 Gen9 Performance Ausführliche Details Allgemein Produkttyp Prozessor Prozessor Typ / Formfaktor Intel Xeon E5-4669V3 Anz. der Kerne 18-Core Cache-Speicher 45 MB Cache-Speicher-Details L3 - 45 MB Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 2.1 GHz Kompatibler Prozessoranschluss LGA2011-v3 Socket Herstellungsprozess 22 nm Thermal Design Power (TDP) 135 W Architektur-Merkmale

Crucial 4GB Single DDR4 2400MT/s PC4-19200 CL17 1.2V SODIMM 260-Pin Memory for Laptop Notebook CT4G4SFS824A