Seagate Enterprise Performance 15K HDD ST600MX0052 - Festplatte - 600GB - intern - 6,4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s - 15000 U/min - Puffer: 128MB (ST600MX0052)

Kurzinfo: Lexar NM610 - Solid-State-Disk - 500 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Lexar Hersteller Art. Nr. LNM610-500RB Modell NM610 EAN/UPC 0843367115983 Produktbeschreibung: Lexar NM610 - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Kapazität 500 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.25 mm Gewicht 9 g Lokalisierung Weltweit Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Stoßfest, Vibrationsdämpfung, LDPC Fehlerkorrektur, 3D

Kurzinfo: Intel Optane Solid-State Drive DC P4800X Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 375 GB - 3D Xpoint (Optane) - intern - 2.5"" (6.4 cm) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPE21K375GA10 EAN/UPC 0675901423885 Produktbeschreibung: Intel Optane Solid-State Drive DC P4800X Series - Solid-State-Disk - 375 GB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 375 GB SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 375 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Leistung SSD-Leistung 20.5 PB Interner Datendurchsatz 2400 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 550000 IOPS 4 KB Random Write 500000 IOPS

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Dank des kleinen mSATA-Formfaktors eignet sich die SSD 860 EVO für Ultrabooks und Kleinsysteme. Dabei verzichten Sie nicht auf die hohe Performance und hohe Leistung bei länger andauernden Arbeitslasten. Der moderne V-NAND Flash ist sehr robust und bietet dadurch hohe Schreibdatenmengen für Client-Systeme. Eine hohe Kompatibilität, ein leistungsfähiger Controller sowie Speicherkapazitäten bis 1 TB runden die 860 EVO mSATA Serie ab. Produktmerkmale: Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 550 MB/s lesend bzw. 520 MB/s schreibend Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 97.000 IOPS (Random Read) bzw. 88.000 IOPS (Random Write) Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer für maximale Schreib-Performance Zeichnet sich durch eine robuste V-NAND Technologie aus M.2-Formfaktor für hohe Kompatiblität mit kompakten PCs, Notebooks und Ultrabooks Schnittstelle: SATA 6 Gb/s, abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s Leistungsfähige Magician Software

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)

Kurzinfo: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Kingston Hersteller Art. Nr. SA1000M8/960G Modell A1000 EAN/UPC 0740617277296 Produktbeschreibung: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 7.6 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 7.6 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Interner Datendurchsatz 1500 MBps (lesen)/ 1000 MBps (Schreiben)