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Western Digital (WD) Ultrastar DC SS530 Solid State Drive (SSD) 2.5"" 480 GB SAS 3D TLC (0B40322) (0B40322)
Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit
SANDISK X600 SSD M.2 2280 256GB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-256G-1122)
Kurzinfo: Micron - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAK256TDL-1AW12ABYY Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring, 3D NAND-Technologie mit 96 Layern, S.M.A.R.T. Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring,
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZPLL3T2HMLS-00003 Modell PM1725a MZPLL3T2HMLS EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 167.75 mm x 18.71 mm Gewicht 330 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 167.75 mm Höhe 18.71 mm Gewicht 330 g Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 5 Interner Datendurchsatz 6200 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 1000000 IOPS
Kurzinfo: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTS830S Modell MTS830S EAN/UPC 0760557842941 Produktbeschreibung: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 6 Gbit/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Breite
