Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - SSD - 128GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) (SSDPEKKA128G701)

Kurzinfo: DeLOCK - Solid-State-Disk - 64 GB - intern - M.2 2242 (M.2 2242) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54783 Modell EAN/UPC 4043619547838 Produktbeschreibung: DeLOCK Toshiba - Solid-State-Disk - 64 GB - SATA 6Gb/s Produktbeschreibung DeLOCK - Solid-State-Disk - 64 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 64 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2242 (M.2 2242) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Thermal sensor, i-S.M.A.R.T, ATA Security, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 42 mm x 3.2 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 64 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2242 (M.2 2242) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Thermal sensor, i-S.M.A.R.T, ATA Security, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 42 mm Höhe 3.2 mm Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 530 MBps (lesen)/

Kurzinfo: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTS830S Modell MTS830S EAN/UPC 0760557842941 Produktbeschreibung: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 6 Gbit/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Breite

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MM HUSMM8040ASS201 - Solid-State-Disk - 400 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B28591 EAN/UPC 8717306637909 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MM HUSMM8040ASS201 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), Mainstream Endurance, T10 Data Integrity Field (DIF) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 164 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive E 6100p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKR256G801 EAN/UPC 0735858364676 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive E 6100p Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Leistung SSD-Leistung

Kurzinfo: IBM - Solid-State-Disk - 200 GB - 6.4 cm (2.5"") - SAS 12Gb/s - für Storwize V3700 Gruppe Festplatten Hersteller IBM Hersteller Art. Nr. 00MJ154 Modell IBM EAN/UPC Produktbeschreibung: IBM - Solid-State-Disk - 200 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk Kapazität 200 GB Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1200 MBps Entwickelt für Storwize V3700 SFF DC Dual Control Enclosure, V3700 SFF DC Expansion Enclosure, V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk Kapazität 200 GB Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1200 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 12 Gb/s Kompatible Einschübe 1 - 6.4 cm (2.5"") Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für IBM Storwize V3700 SFF DC Dual Control Enclosure, V3700 SFF DC Expansion Enclosure, V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC S3110 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 128 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKKI128G801 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC S3110 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology, Intel Smart Response Technology(ISRT), 256-Bit-AES Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology, Intel