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Kurzinfo: Micron - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAK256TDL-1AW12ABYY Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring, 3D NAND-Technologie mit 96 Layern, S.M.A.R.T. Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring,
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS
Kurzinfo: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Other World Computing Hersteller Art. Nr. OWCS3DAPB4MB02 Modell Aura Pro X EAN/UPC 0812437028096 Produktbeschreibung: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Leistung Interner Datendurchsatz 1352 MBps (lesen)/ 1066 MBps (Schreiben) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Apple MacOS X 10.13 oder höher
Kurzinfo: Crucial MX500 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 250 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT250MX500SSD4 Modell MX500 EAN/UPC 0649528785084 Produktbeschreibung: Crucial MX500 - Solid-State-Disk - 250 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 250 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Microsoft eDrive-kompatibel, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, aufrüstbare Firmware, 3D NAND Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Datenschutz bei Stromausfall, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp
Kurzinfo: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL1T6HAJQ-00005 Modell PM1725b MZWLL1T6HAJQ EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 3 Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 720000 IOPS 4 KB Random Write 135000 IOPS Zuverlässigkeit Dauerbetrieb 24/7 Ja Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 2 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld 2.5"" (6.4 cm)
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZPLL3T2HMLS-00003 Modell PM1725a MZPLL3T2HMLS EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 167.75 mm x 18.71 mm Gewicht 330 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 167.75 mm Höhe 18.71 mm Gewicht 330 g Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 5 Interner Datendurchsatz 6200 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 1000000 IOPS
