HPE Read Intensive - SSD - 1.92 TB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL580 Gen9, ML110 Gen9, ML150 Gen9

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - Self Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T58AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300213 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Leistung SSD-Leistung 146 TB Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Kompatible Einschübe 1 intern Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur

Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 480 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - für PRIMERGY RX2530 M4 (2.5""), RX2540 M4 (2.5""), RX4770 M4 (2.5"") Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F5670-L480 Modell Fujitsu EAN/UPC 4059595386231 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 480 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 480 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Read-Intensive Endurance, Enterprise Entwickelt für PRIMERGY RX2530 M4 (2.5""), RX2540 M4 (2.5""), RX4770 M4 (2.5"") Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 480 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Read-Intensive Endurance, Enterprise Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 1 Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Hot-Plug

Das Delock IDE Flash Speichermodul ist mit seinen Maßen sehr klein und ideal für den Gebrauch unter rauen Betriebsbedingungen und für den Einsatz in PCs, Set-Top Boxen und anderen Geräten in der Industrie konzipiert. Mit der integrierten elektronischen Fehlerkorrektur (ECC) wird ein sicherer Datentransfer gewährt. Stromsparmodus und automatische Abschaltung erhöhen die Energieeffizienz. Delock IDE Flash Speichermodule sind aufgrund ihrer Zuverlässigkeit und hohen Datentransferrate hervorragend für den industriellen Einsatz geeignet. Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54144 EAN Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 5.7 cm x 2.2 cm x 6 mm Kapazität 1 GB Schnittstellen Typ IDE Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Breite 5.7 cm Tiefe 2.2 cm Höhe 6

Kurzinfo: HGST Ultrastar SS200 Enterprise SDLL1DLR-960G -CCA1 - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1396 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SS200 Enterprise SDLL1DLR-960G -CCA1 - Solid-State-Disk - 960 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 15nm Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Online Transaction Processing (OLTP), FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology, Instant Secure Erase (ISE), Enterprise, 1 DWPD Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm Gewicht 200 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 15nm Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Online Transaction Processing (OLTP), FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology,

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit