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Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial
Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA256G801 EAN/UPC 0735858371834 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 2200 MBps (lesen)/
Kurzinfo: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 6Gb/s - CRU - für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 00Y2513 Modell Hitachi HUSML4020ASS60 EAN/UPC 4053162580190 Produktbeschreibung: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Preistyp Customer-replaceable Unit (CRU) Entwickelt für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 6Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Preistyp Customer-replaceable
Kurzinfo: Transcend IDE Flash Module Horizontal - Solid-State-Disk - 1 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS1GPTM820 EAN/UPC 0760557832676 Produktbeschreibung: Transcend IDE Flash Module Horizontal - Solid-State-Disk - 1 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 GB Schnittstelle IDE Merkmale Enhanced Error Correction Code , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 46 mm x 28 mm x 6 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 GB Schnittstelle IDE Merkmale Enhanced Error Correction Code , S.M.A.R.T. Breite 46 mm Tiefe 28 mm Höhe 6 mm Gewicht 7 g Leistung Interner Datendurchsatz 20.85 MBps (lesen)/ 13.75 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Verschiedenes Kennzeichnung RoHS Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur 0 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 0 -
Kurzinfo: Micron 1100 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV256TBN-1AR1ZAB Modell Micron 1100 EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Garbage Collection-Technologie, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, dynamische Schreibbeschleunigung, ATA Security, Stromausfallschutz (SAS), S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein
Kurzinfo: HPE Read Intensive - Solid-State-Disk - 480 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL580 Gen9, ML110 Gen9, ML150 Gen9 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 875311-B21 Modell HPE Read Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Read Intensive - Solid-State-Disk - 480 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 480 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL120 Gen9 Entry, DL160 Gen9, DL160 Gen9 Base, DL160 Gen9 Entry, DL160 Gen9 Performance, DL160 Gen9 Thoughtspot Server, DL180 Gen9, DL180 Gen9 Base, DL180 Gen9 Entry, DL180 Gen9 Storage, DL20 Gen9, DL20 Gen9 Base (2.5""), DL20 Gen9 Entry (2.5""), DL20 Gen9 Performance (2.5""), DL20 Gen9 Special Server (2.5""), DL580 Gen9 (2.5""), DL580
