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Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität
Hauptmerkmale Leistung SSD Speicherkapazität 128 GB SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle PCI Express 3.0 Lesegeschwindigkeit 1500 MB/s Schreibgeschwindigkeit 800 MB/s Komponente für PC/notebook NVM Express (NVMe) unterstützt Ja NVM Express (NVMe) Version 1.3 Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1752000000 h Design SSD-Formfaktor M.2 Produktfarbe Schwarz, Blau Zertifizierung FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick Energie Arbeitsspannung 3,3 V Stromverbrauch (durchschnittl.) 0,75 W Stromverbrauch (Sleep-Modus) 0,0025 W Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb 0 - 70 °C Temperaturbereich bei Lagerung 55 - 85 °C Stoßfest (in Betrieb) 1500 G Gewicht & Abmessungen Breite 22 mm Tiefe 2,38 mm Höhe 30 mm Gewicht 3,5 g
Kurzinfo: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - intern - IDE/ATA Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256MPTM520 EAN/UPC 0760557833185 Produktbeschreibung: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - IDE/ATA Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 61 mm x 7.1 mm x 27.1 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Breite 61 mm Tiefe 7.1 mm Höhe 27.1 mm Leistung Interner Datendurchsatz 57 MBps (lesen)/ 38 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunde(n) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 40-polig Verschiedenes Kennzeichnung RoHS Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur
Kurzinfo: HGST Ultrastar SA210 HBS3A1919A4M4B1 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1.92 TB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01 Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1657 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SA210 HBS3A1919A4M4B1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Hardwareverschlüsselung Ja Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale LDPC Fehlerkorrektur Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Hardwareverschlüsselung Ja Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale LDPC Fehlerkorrektur Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 7 g Leistung SSD-Leistung 350 TB Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 510 MBps (lesen)/ 475 MBps (Schreiben) Maximal 4 KB Random Write
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS
Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280
