Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - SSD - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - intern - IDE/ATA Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256MPTM520 EAN/UPC 0760557833185 Produktbeschreibung: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - IDE/ATA Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 61 mm x 7.1 mm x 27.1 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Breite 61 mm Tiefe 7.1 mm Höhe 27.1 mm Leistung Interner Datendurchsatz 57 MBps (lesen)/ 38 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunde(n) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 40-polig Verschiedenes Kennzeichnung RoHS Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur

Kurzinfo: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0T00020 Modell HGST s1122 S1122E800M4 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Leistung Interner Datendurchsatz 1.4 MBps (lesen)/ 1.1 GBps (Schreiben) Stromversorgung Energieverbrauch 25 Watt (aktiv) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Red Hat Enterprise Linux 6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP1, Red Hat Enterprise Linux 6.1, VMware ESX 4.1, VMware ESXi 4.1, Red Hat Enterprise Linux 6.2, Oracle Solaris 11, Red Hat Enterprise Linux 5.6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP2, Microsoft Windows Server 2012, Oracle Enterprise Linux 6.2, Microsoft

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive Pro 7600p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKF256G8X1 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive Pro 7600p Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale End-to-End-Datenschutz, Remote Secure Erase Gewicht 10 g Leistung SSD-Leistung 144 TB

DELL 04HGTJ Interne Festplatte (04HGTJ)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps