DELL 04HGTJ Interne Festplatte (04HGTJ)

Kurzinfo: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1355 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction Processing (OLTP), Read-Intensive Endurance, Advanced ECC Engine, Mixed-Use, Online Analytical Processing (OLAP), NVM Express (NVMe), High Frequency Trading (HFT), flash-aware RAID Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 10.045 mm x 6.985 mm x 15 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie,

Kurzinfo: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL1T6HAJQ-00005 Modell PM1725b MZWLL1T6HAJQ EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 3 Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 720000 IOPS 4 KB Random Write 135000 IOPS Zuverlässigkeit Dauerbetrieb 24/7 Ja Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 2 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld 2.5"" (6.4 cm)

Kurzinfo: Micron 1100 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV256TBN-1AR1ZAB Modell Micron 1100 EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Garbage Collection-Technologie, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, dynamische Schreibbeschleunigung, ATA Security, Stromausfallschutz (SAS), S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Kurzinfo: Plextor M9Pe(G) PX-1TM9PeG - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - Puffer: 1024 MB - integrierter Kühlkörper Gruppe Festplatten Hersteller Plextor Hersteller Art. Nr. PX-1TM9PeG Modell M9Pe(G) PX-1TM9PeG EAN/UPC Produktbeschreibung: Plextor M9Pe(G) PX-1TM9PeG - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, integrierter Kühlkörper, Low Power DDR3 SDRAM Cache, LDPC Fehlerkorrektur, PlexNitro, Marvell 88SS1093-Controller Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Puffergrösse 1024 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, integrierter Kühlkörper, Low Power DDR3 SDRAM Cache, LDPC Fehlerkorrektur, PlexNitro, Marvell 88SS1093-Controller, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.8 mm x 80 mm x 5.3 mm Gewicht 13 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp

Kurzinfo: SanDisk Optimus Eco - Solid-State-Disk - 400 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - SAS 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller SanDisk Hersteller Art. Nr. SDLKODDR-400G-5CA1 Modell Optimus Eco EAN/UPC 0619659134365 Produktbeschreibung: SanDisk Optimus Eco - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB NAND-Flash-Speichertyp 19nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology, Guardian Technology Platform, integrierter Sicherungsschaltkreis, Flexible Redundant Array of Memory Elements (F.R.A.M.E.) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 9.5 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB NAND-Flash-Speichertyp 19nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm x 1/8H) Schnittstelle SAS 6Gb/s Merkmale FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology,