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Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik Intelligent TurboWrite verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo
Kurzinfo: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE820 Modell MTE820 EAN/UPC 0760557839651 Produktbeschreibung: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung,
Das Delock IDE Flash Speichermodul ist mit seinen Maßen sehr klein und ideal für den Gebrauch unter rauen Betriebsbedingungen und für den Einsatz in PCs, Set-Top Boxen und anderen Geräten in der Industrie konzipiert. Mit der integrierten elektronischen Fehlerkorrektur (ECC) wird ein sicherer Datentransfer gewährt. Stromsparmodus und automatische Abschaltung erhöhen die Energieeffizienz. Delock IDE Flash Speichermodule sind aufgrund ihrer Zuverlässigkeit und hohen Datentransferrate hervorragend für den industriellen Einsatz geeignet. Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54144 EAN Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 5.7 cm x 2.2 cm x 6 mm Kapazität 1 GB Schnittstellen Typ IDE Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Breite 5.7 cm Tiefe 2.2 cm Höhe 6
Kurzinfo: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 6Gb/s - CRU - für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 00Y2513 Modell Hitachi HUSML4020ASS60 EAN/UPC 4053162580190 Produktbeschreibung: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Preistyp Customer-replaceable Unit (CRU) Entwickelt für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 6Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Preistyp Customer-replaceable
Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280
Delock M.2 NGFF SATA 6 Gb/s Nand Flash WT 128 GB (S80) MLC -40°C ~ +85°C Delock (54696)
