Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - SSD - 1TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED (MZ-MTE1T0BW)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1.6 TB - intern - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPE2KE016T801 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Gewicht 139 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität

Hauptmerkmale Leistung SSD Speicherkapazität 128 GB SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle PCI Express 3.0 Lesegeschwindigkeit 1500 MB/s Schreibgeschwindigkeit 800 MB/s Komponente für PC/notebook NVM Express (NVMe) unterstützt Ja NVM Express (NVMe) Version 1.3 Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1752000000 h Design SSD-Formfaktor M.2 Produktfarbe Schwarz, Blau Zertifizierung FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick Energie Arbeitsspannung 3,3 V Stromverbrauch (durchschnittl.) 0,75 W Stromverbrauch (Sleep-Modus) 0,0025 W Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb 0 - 70 °C Temperaturbereich bei Lagerung 55 - 85 °C Stoßfest (in Betrieb) 1500 G Gewicht & Abmessungen Breite 22 mm Tiefe 2,38 mm Höhe 30 mm Gewicht 3,5 g

SANDISK X600 SSD M.2 2280 256GB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-256G-1122)

Kurzinfo: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - intern - M.2 - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. NB-2TBM.2/NVME Modell Storage EAN/UPC 5056006148319 Produktbeschreibung: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2