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Hauptmerkmale Leistung SSD Speicherkapazität 128 GB SolidStateDrive (SSD) Schnittstelle PCI Express 3.0 Lesegeschwindigkeit 1500 MB/s Schreibgeschwindigkeit 800 MB/s Komponente für PC/notebook NVM Express (NVMe) unterstützt Ja NVM Express (NVMe) Version 1.3 Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) 1752000000 h Design SSD-Formfaktor M.2 Produktfarbe Schwarz, Blau Zertifizierung FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick Energie Arbeitsspannung 3,3 V Stromverbrauch (durchschnittl.) 0,75 W Stromverbrauch (Sleep-Modus) 0,0025 W Betriebsbedingungen Temperaturbereich in Betrieb 0 - 70 °C Temperaturbereich bei Lagerung 55 - 85 °C Stoßfest (in Betrieb) 1500 G Gewicht & Abmessungen Breite 22 mm Tiefe 2,38 mm Höhe 30 mm Gewicht 3,5 g
Kurzinfo: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - intern - IDE/ATA Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256MPTM520 EAN/UPC 0760557833185 Produktbeschreibung: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - IDE/ATA Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 61 mm x 7.1 mm x 27.1 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Breite 61 mm Tiefe 7.1 mm Höhe 27.1 mm Leistung Interner Datendurchsatz 57 MBps (lesen)/ 38 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunde(n) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 40-polig Verschiedenes Kennzeichnung RoHS Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur
Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 1.6 TB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL20 Gen9, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873357-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 1.6 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.6 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL160 Gen9 (2.5""), DL160 Gen9 Base (2.5""), DL160 Gen9 Entry (2.5""), DL160 Gen9 Performance (2.5""), DL160 Gen9 Thoughtspot Server (2.5""), DL20 Gen9 (2.5""), DL20 Gen9 Base (2.5""), DL20 Gen9 Entry (2.5""), DL20 Gen9 Performance (2.5""), DL20 Gen9 Special
Kurzinfo: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKR128G7XN EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure Erase Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure
Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280
Kurzinfo: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0T00020 Modell HGST s1122 S1122E800M4 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Leistung Interner Datendurchsatz 1.4 MBps (lesen)/ 1.1 GBps (Schreiben) Stromversorgung Energieverbrauch 25 Watt (aktiv) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Red Hat Enterprise Linux 6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP1, Red Hat Enterprise Linux 6.1, VMware ESX 4.1, VMware ESXi 4.1, Red Hat Enterprise Linux 6.2, Oracle Solaris 11, Red Hat Enterprise Linux 5.6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP2, Microsoft Windows Server 2012, Oracle Enterprise Linux 6.2, Microsoft
