Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - SSD - 1.6 TB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD1600MM HUSMM1680ASS205 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 800 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s - FIPS Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B32187 EAN/UPC 8717306638128 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD1600MM HUSMM1680ASS205 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), TCG Enterprise Compliant, Self Encrypting Solid-State Drive (SE-SSD), Mainstream Endurance, T10 Data Integrity Field (DIF) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche

Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280

Kurzinfo: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller ADATA Hersteller Art. Nr. ASX8200PNP-1TT-C Modell XPG SX8200 Pro EAN/UPC 4713218469465 Produktbeschreibung: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 8 g Leistung

Kurzinfo: Fujitsu enterprise - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 3.5"" (8.9 cm) - SAS 12Gb/s - für PRIMERGY RX2530 M1, RX2530 M2, RX2540 M1, RX2540 M2, RX2540 M2 Storage Spaces (3.5"") Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F5320-L800 Modell enterprise EAN/UPC 4053026690751 Produktbeschreibung: Fujitsu enterprise - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB Formfaktor 3.5"" (8.9 cm) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Mainstream Endurance Entwickelt für PRIMERGY RX2530 M1 (3.5""), RX2530 M2 (3.5""), RX2540 M1 (3.5""), RX2540 M2 (3.5""), RX2540 M2 Storage Spaces (3.5"") Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB Formfaktor 3.5"" (8.9 cm) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Mainstream Endurance Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 12 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 3.5"" (8.9 cm) Informationen

Kurzinfo: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT1000P1SSD8 Modell P1 EAN/UPC Produktbeschreibung: Crucial P1 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Leistung SSD-Leistung 200 TB Interner Datendurchsatz 2000 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 170000 IOPS 4 KB Random Write 240000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Software

Kurzinfo: Micron - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAK256TDL-1AW12ABYY Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Micron - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring, 3D NAND-Technologie mit 96 Layern, S.M.A.R.T. Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale TRIM-Unterstützung, dynamische Schreibbeschleunigung, 3D NAND Technology, Stromausfallschutz (SAS), Thermal Monitoring,