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Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280
Kurzinfo: Origin Storage - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. NB-1TB3DSSD-M.2 Modell Storage EAN/UPC Produktbeschreibung: Origin Storage - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Breite 22 mm Tiefe 80 mm Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps
Intel Optane Memory SSD 32 GB M.2 Retail Mit der Intel Optane Series präsentiert Intel kompakte M.2-Module, die mit den neuen 3D XPoint Speicherzellen bestückt sind und somit nicht mehr auf NAND-Flash zurückgreifen. Dabei sollen die Module vor allem als Systembeschleuniger dienen und können in dieser 32 GB großen Version häufig genutzte Daten zwischenspeichern. Das bedeutet, dass vor allem extrem große HDD-Datenträger an die Übertragungsgeschwindigkeiten von SSD-Festplatten herankommen oder diese sogar übertreffen. Diese Version der Intel Optane Series verfügt über den M.2-2280-Formfaktor und wird über die PCIe 3.0 x2 Schnittstelle mit dem Mainboard verbunden. Technische Daten Hersteller Intel Modellkennung des Herstellers Intel Optane Memory SSD 32 GB M.2 Retail Kapazität 32 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle M.2 (PCIe 3.0 x2) Controller Intel Speicherzellen 3D XPoint Leistung Lesen: max. 1.350 MB/s Schreiben: max. 290 MB/s IOPS (4KB Random Read): 240.000 IOPS (4KB Random Write): 65.000
Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B30068 EAN/UPC 8717306638067 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-D Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 164 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s
Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54155 Modell IDE Flash Module EAN/UPC 4043619541553 Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 53 mm x 27 mm x 5.8 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Breite 53 mm Tiefe 27 mm Höhe 5.8 mm Leistung Interner Datendurchsatz 40 MBps (lesen)/ 20 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Stromversorgung Energieverbrauch 150 mAh (aktiv) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Antistatik-Abdeckung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur -10 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz 50 g @ 10ms Dauer Vibrationstoleranz 5 g @ 7-200 Hz (in Betrieb)
