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Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - intern - mSATA - SATA 3Gb/s - für FUTRO S900 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F3666-L4 Modell EAN/UPC 4051554209193 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - SATA 3Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Entwickelt für FUTRO S900 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 3 Gb/s - 52-polig Mini-SATA Kompatibles Schaltfeld mSATA Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu FUTRO S900
SANDISK X600 SSD M.2 2280 1TB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-1T00-1122)
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS
Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,
Kurzinfo: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0T00020 Modell HGST s1122 S1122E800M4 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST s1122 S1122E800M4 - Solid-State-Disk - 800 GB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB Schnittstelle PCI Express Merkmale CellCare Technology Leistung Interner Datendurchsatz 1.4 MBps (lesen)/ 1.1 GBps (Schreiben) Stromversorgung Energieverbrauch 25 Watt (aktiv) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Red Hat Enterprise Linux 6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP1, Red Hat Enterprise Linux 6.1, VMware ESX 4.1, VMware ESXi 4.1, Red Hat Enterprise Linux 6.2, Oracle Solaris 11, Red Hat Enterprise Linux 5.6, SuSE Linux Enterprise Server 11 SP2, Microsoft Windows Server 2012, Oracle Enterprise Linux 6.2, Microsoft
Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik Intelligent TurboWrite verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo
