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Kurzinfo: Lenovo - Solid-State-Disk - 800 GB - 6.4 cm (2.5) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 00NC535 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Lenovo - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk Kapazität 800 GB Formfaktor 6.4 cm (2.5) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk Kapazität 800 GB Formfaktor 6.4 cm (2.5) Schnittstelle SAS 12Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 12 Gb/s Kompatible Einschübe 1 - 6.4 cm (2.5)
Kurzinfo: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTS830S Modell MTS830S EAN/UPC 0760557842941 Produktbeschreibung: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 6 Gbit/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Breite
Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik Intelligent TurboWrite verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo
Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA256G801 EAN/UPC 0735858371834 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Breite 22 mm Tiefe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 2200 MBps (lesen)/
Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,
Kurzinfo: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1355 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction Processing (OLTP), Read-Intensive Endurance, Advanced ECC Engine, Mixed-Use, Online Analytical Processing (OLAP), NVM Express (NVMe), High Frequency Trading (HFT), flash-aware RAID Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 10.045 mm x 6.985 mm x 15 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie,
