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Soutien
8GB Lenovo ThinkStation P520c (MS8192LEN039)
Der Artikel MS2048TYA276 ist eine Speichererweiterung für TYAN Toledo i3210W (S5211), welcher ab Werk mit 0MB RAM ausgestattet ist. Das System TYAN Toledo i3210W (S5211) kann maximal auf 8GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 4 (2of2) Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für TYAN Toledo i3210W (S5211) ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des
Mehr als 25.000 Systemspezifische Arbeitsspeicher 100% kompatibel zu den aufgeführten Modellen Markenspeicher von Samsung, Hynix, Elixir und Mustang Memory Hervorragende Qualtität und Performance auf alle Systemspezifischen Arbeitsspeicher Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 1 GB Komponente für PC/server Design Kompatible Produkte MSI K7N2 Delta-ILSR, K7N2 Delta2-Serie (MS-6570E)
Mehr als 25.000 Systemspezifische Arbeitsspeicher 100% kompatibel zu den aufgeführten Modellen Markenspeicher von Samsung, Hynix, Elixir und Mustang Memory Hervorragende Qualtität und Performance auf alle Systemspezifischen Arbeitsspeicher Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 1 GB Komponente für PC / Server Design Kompatible Produkte ECS Elitegroup SIMA A9S, SIMA A4S, SIMA I9S
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 32 GB - LRDIMM 240-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - Load-Reduced - ECC - für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2 Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS32768SUP-BB43A Modell EAN/UPC 4047762431846 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 32 GB - LRDIMM 240-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - LRDIMM 240-polig Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Leistungsmerkmale Load-Reduced Entwickelt für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2 Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor LRDIMM 240-polig Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Load-Reduced Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2
FAST ENOUGH TO KEEP UP WITH THE ACTION Get extreme speeds for fast transfer, app performance, and 4K UHD.2 Ideal for your Android™ smartphone, action cameras or drones, this high-performance microSD card does 4K UHD video recording, Full HD video and high-resolution photos. The super-fast SanDisk Extreme® microSDXC™ memory card reads up to 160MB/s* and writes up to 90MB/s.* Plus, it’s A2-rated, so you can get fast application performance for an exceptional smartphone experience.7SAVE TIME TRANSFERRING CONTENT Quick read speeds of up to 170MB/s* let you transfer 1000 high-resolution photos and 30 minutes of 4K video (24GB) in less than 3 minutes.8WRITE SPEEDS OF UP TO 90MB/S* Capture fast-action photos or shoot 4K UHD video2 with write speeds of up to 90MB/s.*The SanDisk Extreme® microSDXC™ UHS-I Card lets you shoot more and faster.GREAT FOR CAPTURING 4K UHD VIDEO.2 Ideal for recording outdoor adventures, weekend trips, or sporting events without skipping frames. The SanDisk Extreme® microSD™ UHS-I card lets you capture uninterrupted 4K UHD and Full HD video with its UHS Speed Class 3 (U3) and Video Speed Class 30 (V30) ratings.5LOAD APPS FASTER WITH A2.7 Get faster app performance for an outstanding smartphone experience thanks to the SanDisk Extreme® microSD card’s A2 Specification.DURABLE DESIGN FOR USE IN EXTREME ENVIRONMENTS SanDisk Extreme® microSDHC™ and microSDXC™ UHS-I Cards are shockproof, temperature-proof, waterproof, and X-ray-proof,4 so you can enjoy your adventures without worrying about the durability of your memory card.COMPATIBLE WITH MOBILEMATE® USB 3.0 READER Use the MobileMate® USB 3.0 microSD™ Card Reader with transfer speeds of up to 160MB/s*, so you can move big files fast, move a lot of files fast or just make frequent file transfers that much quicker.**DISCLOSURE** Not all devices support microSDXC memory card formats. Check with your device manufacturer for more details.* For 64GB: Up to 170MB/s read speeds, engineered with proprietary technology to reach speeds beyond UHS-I 104MB/s, requires compatible devices capable of reaching such speeds. Up to 70MB/s write speeds. Based on internal testing; performance may be lower depending upon host device interface, usage conditions and other factors. 1MB=1,000,000 bytes. 1 1GB=1,000,000,000 bytes. Actual user storage less. 2 Compatible device required. Full HD (1920x1080) and 4K UHD (3840 x 2160) support may vary based upon host device, file attributes and other factors. See www.sandisk.com/HD 3 Download and installation required.See www.sandisk.com/memoryzone 4 Card only. See www.sandisk.com/proof for additional information and limitations. 5 UHS Speed Class 3 (U3) designates a performance option designed to support real-time video recording with UHS-enabled host devices. Video Speed Class 30 (V30), sustained video capture rate of 30MB/s, designates a performance option designed to support real-time video recording with UHS-enabled host devices. See www.sdcard.org/consumers/speed. 6 Registration required; terms and conditions apply. 7 For 64GB A2 performance is 4000 read IOPS, 2000 write IOPS. Results may vary based on host device, app type and other factors. 8 Comparison based on internal testing of SanDisk Extreme® microSDXC™ UHS-l card, 400GB versus current UHS-l cards with 100MB/s stated performance. Results may vary based on host device, file attributions and other factors.