Fujitsu - SSD - 960GB - Hot-Swap - 6,4 cm SFF (2.5"" SFF) - SATA 6Gb/s - für PRIMERGY RX2520 M1 (2.5""), SX960 S1, TX1320 M2 (2.5""), TX2540 M1 (2.5"") (S26361-F5586-L960)

Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54155 Modell IDE Flash Module EAN/UPC 4043619541553 Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 53 mm x 27 mm x 5.8 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Breite 53 mm Tiefe 27 mm Höhe 5.8 mm Leistung Interner Datendurchsatz 40 MBps (lesen)/ 20 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Stromversorgung Energieverbrauch 150 mAh (aktiv) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Antistatik-Abdeckung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur -10 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz 50 g @ 10ms Dauer Vibrationstoleranz 5 g @ 7-200 Hz (in Betrieb)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 4 TB - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPERKX040T701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - 4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz Gewicht 225 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale

Kurzinfo: Transcend MTS820 - Solid-State-Disk - 120 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS120GMTS820S Modell MTS820 EAN/UPC 0760557839941 Produktbeschreibung: Transcend MTS820 - Solid-State-Disk - 120 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, Low-Density Parity Check, SLC-Cache, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, Low-Density Parity Check, SLC-Cache, S.M.A.R.T. Breite 80 mm Tiefe 22

Kurzinfo: Team Group MP32 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Team Group Hersteller Art. Nr. TM8FP3128G0C101 Modell Group MP32 EAN/UPC 0765441041004 Produktbeschreibung: Team Group MP32 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.3 mm Gewicht 12 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 2.3 mm Gewicht 12 g Leistung Interner Datendurchsatz 1350 MBps (lesen)/ 400 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x2 (NVMe) -

Kurzinfo: HGST Ultrastar SS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Hitachi Hersteller Art. Nr. 0TS1380 Modell HGST Ultrastar SS200 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 15nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology, Guardian Technology Platform, Instant Secure Erase (ISE), Read-Intensive Endurance, 3 DWPD Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm Gewicht 200 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 15nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale FlashGuard Technology, DataGuard Technology, EverGuard Technology, Guardian Technology Platform, Instant Secure

Kurzinfo: Toshiba PX05SRB Series PX05SRB096 - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - 6.4 cm (2.5"") - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Toshiba Hersteller Art. Nr. PX05SRB096 EAN/UPC Produktbeschreibung: Toshiba PX05SRB Series PX05SRB096 - Solid-State-Disk - 960 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale 1 DWPD, power loss prevention (PLP) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm Gewicht 150 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale 1 DWPD, power loss prevention (PLP) Breite 69.85 mm Tiefe 100.45 mm Höhe 15 mm Gewicht 150 g Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) 4 KB Random Read 270000 IOPS 4 KB Random Write 25000 IOPS Erweiterung und Konnektivität