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Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD1600MR HUSMR1680ASS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31077 EAN/UPC 4053162868892 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD1600MR HUSMR1680ASS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), T10 Data Integrity Field (DIF) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale
Kurzinfo: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL1T6HAJQ-00005 Modell PM1725b MZWLL1T6HAJQ EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725b MZWLL1T6HAJQ - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale NVM Express (NVMe) 1.2 Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 3 Interner Datendurchsatz 3500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 720000 IOPS 4 KB Random Write 135000 IOPS Zuverlässigkeit Dauerbetrieb 24/7 Ja Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 2 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld 2.5"" (6.4 cm)
Kurzinfo: Micron 5100 PRO - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV960TCB-1AR1ZABYY Modell Micron 5100 PRO EAN/UPC 0649528781376 Produktbeschreibung: Micron 5100 PRO - Solid-State-Disk - 960 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Secure Erase-Funktion, Enhanced Power Loss Data Protection, Unterstützung für Multi-Word DMA-Modus 0-2, Ultra DMA Mode 0-6 support, Unterstützung für PIO-Modus 3, 4, End-to-End-Datenschutz, aufrüstbare Firmware, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Byte pro
Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T50AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300138 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640,
Kurzinfo: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE820 Modell MTE820 EAN/UPC 0760557839651 Produktbeschreibung: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung,
Kurzinfo: Intenso - Solid-State-Disk - 480 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller Intenso Hersteller Art. Nr. 3834450 Modell EAN/UPC 4034303026654 Produktbeschreibung: Intenso - Solid-State-Disk - 480 GB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 480 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Advanced 3D NAND Technology, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 4 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 480 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Advanced 3D NAND Technology, S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 4 mm Gewicht 7 g Leistung Interner Datendurchsatz 1700 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express - M.2 Card Kompatibles Schaltfeld M.2 2280 Umgebungsbedingungen