Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - SSD - 128GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) (SSDPEKKA128G701)

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T50AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300138 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Entwickelt für Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640, Z820, Z840 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für HP Workstation Z230, Z420, Z440, Z620, Z640,

Kurzinfo: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller ADATA Hersteller Art. Nr. ASX8200PNP-1TT-C Modell XPG SX8200 Pro EAN/UPC 4713218469465 Produktbeschreibung: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 8 g Leistung

Dank des kleinen mSATA-Formfaktors eignet sich die SSD 860 EVO für Ultrabooks und Kleinsysteme. Dabei verzichten Sie nicht auf die hohe Performance und hohe Leistung bei länger andauernden Arbeitslasten. Der moderne V-NAND Flash ist sehr robust und bietet dadurch hohe Schreibdatenmengen für Client-Systeme. Eine hohe Kompatibilität, ein leistungsfähiger Controller sowie Speicherkapazitäten bis 1 TB runden die 860 EVO mSATA Serie ab. Produktmerkmale: Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 550 MB/s lesend bzw. 520 MB/s schreibend Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 97.000 IOPS (Random Read) bzw. 88.000 IOPS (Random Write) Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer für maximale Schreib-Performance Zeichnet sich durch eine robuste V-NAND Technologie aus M.2-Formfaktor für hohe Kompatiblität mit kompakten PCs, Notebooks und Ultrabooks Schnittstelle: SATA 6 Gb/s, abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s Leistungsfähige Magician Software

Kurzinfo: DeLOCK - Solid-State-Disk - 32 GB - intern - mSATA (mSATA) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54707 Modell EAN/UPC 4043619547074 Produktbeschreibung: DeLOCK - Solid-State-Disk - 32 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 32 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Vibrationsdämpfung, Intelligentes Wiederherstellungssystem, Speicherchip Toshiba A19, iSmart function, ATA security , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.8 mm x 50.8 mm x 3.3 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 32 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Vibrationsdämpfung, Intelligentes Wiederherstellungssystem, Speicherchip Toshiba A19, iSmart function, ATA security , S.M.A.R.T. Breite 29.8 mm Tiefe 50.8 mm Höhe 3.3 mm Leistung Übertragungsrate Laufwerk

Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial

Kurzinfo: SanDisk Extreme PRO - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller SanDisk Hersteller Art. Nr. SDSSDXPM2-1T00-G25 Modell Extreme PRO EAN/UPC 0619659161187 Produktbeschreibung: SanDisk Extreme PRO - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), nCache 3.0-Technologie Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 21.84 mm x 80.52 mm x 1.98 mm Gewicht 7.4 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), nCache 3.0-Technologie Breite 21.84 mm Tiefe 80.52 mm Höhe 1.98 mm Gewicht 7.4 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Interner Datendurchsatz 3400 MBps (lesen)/ 2800 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 500000 IOPS 4 KB Random Write 400000 IOPS Erweiterung