Origin Storage - SSD - verschlüsselt - 250 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0

Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54155 Modell IDE Flash Module EAN/UPC 4043619541553 Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 53 mm x 27 mm x 5.8 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Breite 53 mm Tiefe 27 mm Höhe 5.8 mm Leistung Interner Datendurchsatz 40 MBps (lesen)/ 20 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Stromversorgung Energieverbrauch 150 mAh (aktiv) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Antistatik-Abdeckung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur -10 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz 50 g @ 10ms Dauer Vibrationstoleranz 5 g @ 7-200 Hz (in Betrieb)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC S3110 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 128 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKKI128G801 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC S3110 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology, Intel Smart Response Technology(ISRT), 256-Bit-AES Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology, 3D NAND Technology, Intel

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 1PD56AA Modell Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190781704331 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Entwickelt für Workstation Z4 G4, Z6 G4 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Leistung SSD-Leistung 150 TB Interner Datendurchsatz 2800 MBps (lesen)/ 1100 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 250000 IOPS 4 KB Random Write 180000 IOPS Zuverlässigkeit MTBF 1,500,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Kompatibles Schaltfeld

Kurzinfo: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTS830S Modell MTS830S EAN/UPC 0760557842941 Produktbeschreibung: Transcend MTS830S - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 6 Gbit/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, 3D NAND Technology, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Breite