Hitachi WD Ultrastar DC SS530 WUSTR6440ASS201 - SSD - verschlüsselt - 400 GB - intern - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - TCG Enterprise (0B40359)

Kurzinfo: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller ADATA Hersteller Art. Nr. ASX8200PNP-1TT-C Modell XPG SX8200 Pro EAN/UPC 4713218469465 Produktbeschreibung: ADATA XPG SX8200 Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 8 g Leistung

Kurzinfo: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - intern - IDE/ATA Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256MPTM520 EAN/UPC 0760557833185 Produktbeschreibung: Transcend PATA Flash Module Vertical - Solid-State-Disk - 256 MB - IDE/ATA Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 61 mm x 7.1 mm x 27.1 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 MB NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Schnittstelle IDE/ATA Merkmale Error Correction Code (ECC) , S.M.A.R.T. Breite 61 mm Tiefe 7.1 mm Höhe 27.1 mm Leistung Interner Datendurchsatz 57 MBps (lesen)/ 38 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 1,000,000 Stunde(n) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 40-polig Verschiedenes Kennzeichnung RoHS Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur

Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS

Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit