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Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 32 GB - LRDIMM 240-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - Load-Reduced - ECC - für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2 Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS32768SUP-BB43A Modell EAN/UPC 4047762431846 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 32 GB - LRDIMM 240-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 32 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - LRDIMM 240-polig Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Leistungsmerkmale Load-Reduced Entwickelt für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2 Ausführliche Details Allgemein Kapazität 32 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor LRDIMM 240-polig Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Load-Reduced Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Supermicro SuperBlade TwinBlade SBA-7222G-T2
PHS-memory 16GB RAM Speicher für Toshiba Satellite Pro R50-E-18G DDR4 SO DIMM 2400MHz PC4-2400T-S (SP298218)
Der Artikel MS4096AC477 ist eine Speichererweiterung für ACER Veriton M430G-series, welcher ab Werk mit 0MB RAM ausgestattet ist. Das System ACER Veriton M430G-series kann maximal auf 16GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 4 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für ACER Veriton M430G-series ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des Herstellers.
Kurzinfo: HyperX Impact - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller HyperX Hersteller Art. Nr. HX432S20IB/16 Modell HyperX Impact EAN/UPC 0740617278194 Produktbeschreibung: HyperX Impact - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL20 (20-22-22) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Black PCB, sechzehn Bänke, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL20 (20-22-22) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Black PCB, sechzehn Bänke, Intel Extreme
Kurzinfo: G.Skill TridentZ Series - DDR4 - 16 GB : 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F4-3200C16D-16GTZSK Modell TridentZ Series EAN/UPC 4719692013118 Produktbeschreibung: G.Skill TridentZ Series - DDR4 - 16 GB : 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB : 2 x 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL16 (16-18-18-38) Leistungsmerkmale Wärmeverteiler aus Aluminium, Dualer Kanal, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0) , ungepuffert Spannung 1.35 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB : 2 x 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.73 Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL16 (16-18-18-38) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Wärmeverteiler aus Aluminium,
Features: Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals. Low-power auto self refresh (LPASR). Data bus inversion (DBI) for data bus. On-die VREFDQ generation and calibration. On-board I2 serial presence-detect (SPD) EEPROM. Fixed burst chop (BC) of 4 and burst length (BL) of 8 via the mode register set (MRS). High speed DDR4-2400, 1.2V operating voltage.
