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Kurzinfo: Intel Xeon E5-2623V3 - 3 GHz - 4 Kerne - 8 Threads - 10 MB Cache-Speicher - außen Gruppe Prozessor-Upgrades Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F3849-L523 Modell Intel Xeon E5-2623V3 EAN/UPC 4053026799539 Produktbeschreibung: Intel Xeon E5-2623V3 / 3 GHz Prozessor Produkttyp Prozessor Prozessortyp Intel Xeon E5-2623V3 Anz. der Kerne Quad-Core / 8 Threads Cache-Speicher 10 MB Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 3 GHz Funktionen Hyper-Threading-Technologie, Intel Turbo Boost Technology 2.0, Intel Advanced Vector Extensions 2 (AVX2.0) Preistyp Installation am Einsatzort Ausführliche Details Allgemein Produkttyp Prozessor Prozessor Typ / Formfaktor Intel Xeon E5-2623V3 Anz. der Kerne Quad-Core Anz. der Threads 8 Threads Cache-Speicher 10 MB Cache-Speicher-Details L3 - 10 MB Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 3 GHz Thermal Design Power 105 W Architektur-Merkmale Hyper-Threading-Technologie, Intel Turbo Boost Technology 2.0, Intel Advanced Vector Extensions 2 (AVX2.0) Verschiedenes Zubehör
Mehr als 25.000 Systemspezifische Arbeitsspeicher 100% kompatibel zu den aufgeführten Modellen Markenspeicher von Samsung, Hynix, Elixir und Mustang Memory Hervorragende Qualtität und Performance auf alle Systemspezifischen Arbeitsspeicher Hauptmerkmale Speicher RAM-Speicher 0,5 GB Komponente für PC/server Design Produktfarbe Schwarz, Gold, Grün Kompatible Produkte Intel D845WN, -WNL
Capture all of life’s precious moments securely with Samsung’s new range of high-performing and stylish memory cardsExtreme read & write speeds Samsung’s ultra-fast PRO Plus Card sets the standard for extreme sports & action photography. This UHS-I Speed Class 3 (U3) and Class 10 compatibility card is perfect for 4K UHD video recording & playback. And with blazing-fast read & write speeds of up to 100MB/s & 90 MB/s respectively, you can transfer files and shoot photos with minimal lag.4K Ultra HD video Capture the moments that matter. With the Samsung PRO Plus microSD Card, you can shoot rich and detailed 4K UHD videos from your smartphone, tablet, or action camera, confident that each memory will be safe. Play your videos back on your 4K UHD TV or monitor and relive the experience as vividly as the day it happened.Waterproof Samsung Memory Cards can survive up to 72 hours in seawaterTemperature-proof These memory cards can endure temperatures from -25° to 85° CelsiusX-Ray-proof Protect all your data from damage caused by airport X-ray machinesMagnet-proof Samsung Memory Cards can even resist magnetic fields of up to 15000 gauss—the equivalent of a high-field MRI scanner
Kurzinfo: Supermicro PWS-65 - Stromversorgung (intern) - Wechselstrom 100-240 V - 700 Watt - PFC - für A+ Server AS1020P-T, SuperServer 6014P-32R Gruppe USV & Stromversorgungsgeräte Hersteller Super Micro Hersteller Art. Nr. PWS-0065 Modell PWS-65 EAN/UPC 0672042620609 Produktbeschreibung: Supermicro PWS-65 - Stromversorgung - 700 Watt Gerätetyp Stromversorgung - Power Factor Correction (PFC) - intern Eingangsspannung Wechselstrom 100-240 V Leistungskapazität 700 Watt Entwickelt für A+ Server AS1020P-T, SuperServer 6014P-32R Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Stromversorgung - Power Factor Correction (PFC) - intern Stromversorgungsgerät Eingangsspannung Wechselstrom 100-240 V Nötige Frequenz 50/60 Hz Leistungskapazität 700 Watt Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Supermicro A+ Server AS1020P-T Supermicro SuperServer 6014P-32R
Memorysolution 1GB FSC Scaleo P P340 (ASUS P5GD1-FM)
Kurzinfo: Kingston ValueRAM - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Kingston Hersteller Art. Nr. KVR24S17S6/4 Modell ValueRAM EAN/UPC 0740617273953 Produktbeschreibung: Kingston ValueRAM - DDR4 - 4 GB - SO DIMM 260-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Metallüberzug Gold Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), sechzehn
