Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - SSD - verschlüsselt - 6.4 TB - intern - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES

Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS

Kurzinfo: HGST Ultrastar SN260 HUSMR7616BHP301 - Solid-State-Disk - 1.6 TB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1305 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SN260 HUSMR7616BHP301 - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction Processing (OLTP), Advanced ECC Engine, Online Analytical Processing (OLAP), NVM Express (NVMe), High Frequency Trading (HFT), flash-aware RAID Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 10.045 mm x 6.985 mm x 15 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction

Das Delock IDE Flash Speichermodul ist mit seinen Maßen sehr klein und ideal für den Gebrauch unter rauen Betriebsbedingungen und für den Einsatz in PCs, Set-Top Boxen und anderen Geräten in der Industrie konzipiert. Mit der integrierten elektronischen Fehlerkorrektur (ECC) wird ein sicherer Datentransfer gewährt. Stromsparmodus und automatische Abschaltung erhöhen die Energieeffizienz. Delock IDE Flash Speichermodule sind aufgrund ihrer Zuverlässigkeit und hohen Datentransferrate hervorragend für den industriellen Einsatz geeignet. Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54144 EAN Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Modul Vertical - Solid-State-Disk - 1 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 5.7 cm x 2.2 cm x 6 mm Kapazität 1 GB Schnittstellen Typ IDE Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Breite 5.7 cm Tiefe 2.2 cm Höhe 6

Kurzinfo: Transcend MTS600 - Solid-State-Disk - 512 GB - intern - M.2 2260 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS512GMTS600 Modell MTS600 EAN/UPC 0760557829751 Produktbeschreibung: Transcend MTS600 - Solid-State-Disk - 512 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern - Intel ISRT-Unterstützung Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2260 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Intel ISRT-Unterstützung Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 60 mm x 22 mm x 3.5 mm Gewicht 7 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2260 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Intel ISRT-Unterstützung Breite 60 mm Tiefe 22 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 7 g Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 560 MBps (lesen)/ 310 MBps (Schreiben) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1.6 TB - intern - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPE2KE016T801 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4610 Series - Solid-State-Disk - 1.6 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 3D NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Gewicht 139 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.6 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)