SANDISK SN720 SSD M.2 2280 1TB PCIe Gen3 x4 NVMe v1.3 intern (SDAPNTW-1T00)

Kurzinfo: Intel Optane SSD DC P4800X Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1.5 TB - 3D Xpoint (Optane) - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. MDTPED1K015TA01 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Optane SSD DC P4800X Series - Solid-State-Disk - 1.5 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.5 TB SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Hardwareverschlüsselung Ja Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale High Endurance Technology (HET), Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, 1280 GiB memory capacity available under operating system Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.5 TB Hardwareverschlüsselung Ja SSD-Technologie 3D Xpoint (Optane) Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe)

Kurzinfo: Fujitsu enterprise - Solid-State-Disk - 200 GB - Hot-Swap - 2.5"" (6.4 cm) - SAS 6Gb/s - für PRIMERGY BX920 S3, RX200 S8, RX300 S8, RX350 S8, SX150 S8, SX350 S8, SX960 S1, TX300 S8 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F4581-L200 Modell enterprise EAN/UPC 4051554426576 Produktbeschreibung: Fujitsu enterprise - Solid-State-Disk - 200 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 200 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Entwickelt für PRIMERGY BX920 S3 (2.5""), BX920 S3 Entry Blade (2.5""), RX200 S8, RX300 S8 (2.5""), RX350 S8 (2.5""), SX150 S8 Universal Storage Server (2.5""), SX350 S8 Universal Storage Server (2.5""), SX960 S1, TX300 S8 (2.5"") Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 200 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SAS 6Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Kurzinfo: HP - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (doppelseitig) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 2JB95AA#AC3 Modell EAN/UPC 0191628457601 Produktbeschreibung: HP - Solid-State-Disk - 128 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (doppelseitig) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale DMA unterstützt Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (doppelseitig) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale DMA unterstützt Breite 22.15 mm Tiefe 80.15 mm Höhe 2.38 mm Gewicht 10 g Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 530 MBps (lesen)/ 515 MBps (Schreiben) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s Kompatibles

Kurzinfo: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Other World Computing Hersteller Art. Nr. OWCS3DAPB4MB02 Modell Aura Pro X EAN/UPC 0812437028096 Produktbeschreibung: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Leistung Interner Datendurchsatz 1352 MBps (lesen)/ 1066 MBps (Schreiben) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Apple MacOS X 10.13 oder höher