Dell - SSD - 1,92TB - Hot-Swap - 6,4 cm (2.5"") - SAS 12Gb/s - für PowerEdge FD332 (400-ANMY)

Kurzinfo: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV256TBN-1AR1ZABYY Modell Micron 1100 EAN/UPC 8592978058746 Produktbeschreibung: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Secure Erase-Funktion, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, dynamische Schreibbeschleunigung, ATA Security, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 1.35 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Byte pro Sektor 512 Merkmale Dynamic

Kurzinfo: Lenovo - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" (6.4 cm) - SAS 6Gb/s - für System x3100 M5, x3250 M4, x35XX M4, x3650 M4, x3650 M4 HD, x3690 X5, x3850 X5, x3950 X5 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 49Y6139 Modell EAN/UPC 4053162342712 Produktbeschreibung: Lenovo - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 24nm Enterprise Multi-Level Cell (eMLC) Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Statisches Wear-Leveling, Enhanced Error Correction Code, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 9.5 mm Gewicht 122 g Entwickelt für BladeCenter HS23 7875 (2.5""), System x3100 M4 (2.5""), x3100 M5 (2.5""), x3250 M4 (2.5""), x3300 M4 (2.5""), x3500 M4 (2.5""), x3530 M4 (2.5""), x3550 M4 (2.5""), x3650 M4 (2.5""), x3650 M4 HD (2.5""), x3690 X5 (2.5""), x3750 M4 (2.5""), x3850 X5 (2.5""), x3950 X5 (2.5"") Ausführliche Details Allgemein

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 512 GB - intern - PCI Express 3.0 x4 - Self Encrypting Drive (SED) Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. Y1T58AA Modell HP Z Turbo Drive G2 EAN/UPC 0190780300213 Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive G2 - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 512 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Gewicht 111 g Leistung SSD-Leistung 146 TB Interner Datendurchsatz 2150 MBps (lesen)/ 1260 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 300000 IOPS 4 KB Random Write 100000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Kompatible Einschübe 1 intern Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur

Kurzinfo: Plextor M9Pe(G) PX-1TM9PeG - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - Puffer: 1024 MB - integrierter Kühlkörper Gruppe Festplatten Hersteller Plextor Hersteller Art. Nr. PX-1TM9PeG Modell M9Pe(G) PX-1TM9PeG EAN/UPC Produktbeschreibung: Plextor M9Pe(G) PX-1TM9PeG - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, integrierter Kühlkörper, Low Power DDR3 SDRAM Cache, LDPC Fehlerkorrektur, PlexNitro, Marvell 88SS1093-Controller Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Puffergrösse 1024 MB Merkmale TRIM-Unterstützung, integrierter Kühlkörper, Low Power DDR3 SDRAM Cache, LDPC Fehlerkorrektur, PlexNitro, Marvell 88SS1093-Controller, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.8 mm x 80 mm x 5.3 mm Gewicht 13 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp

Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,

Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS