Kostenlos
Unterstützung
Memorysolution 256MB Kyocera KM-C2520, KM-C3225, KM-C3232
Kurzinfo: Transcend - DDR3 - 8 GB - SO-DIMM, 204-polig - 1600 MHz / PC3-12800 - ungepuffert - nicht-ECC - für Apple iMac, Mac mini, MacBook Pro Gruppe RAM Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS8GAP1600S Modell EAN/UPC 0760557822608 Produktbeschreibung: Transcend - DDR3 - 8 GB - SO-DIMM, 204-polig Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO-DIMM, 204-polig Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Leistungsmerkmale Dual Rank , ungepuffert Entwickelt für Apple iMac, Mac mini, MacBook Pro Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO-DIMM, 204-polig Geschwindigkeit 1600 MHz (PC3-12800) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Dual Rank , ungepuffert Chip-Organisation X8 Erweiterung / Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher - SO-DIMM, 204-polig Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Apple
Kurzinfo: Intel Xeon E5-2623V3 - 3 GHz - 4 Kerne - 8 Threads - 10 MB Cache-Speicher - außen Gruppe Prozessor-Upgrades Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F3849-L523 Modell Intel Xeon E5-2623V3 EAN/UPC 4053026799539 Produktbeschreibung: Intel Xeon E5-2623V3 / 3 GHz Prozessor Produkttyp Prozessor Prozessortyp Intel Xeon E5-2623V3 Anz. der Kerne Quad-Core / 8 Threads Cache-Speicher 10 MB Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 3 GHz Funktionen Hyper-Threading-Technologie, Intel Turbo Boost Technology 2.0, Intel Advanced Vector Extensions 2 (AVX2.0) Preistyp Installation am Einsatzort Ausführliche Details Allgemein Produkttyp Prozessor Prozessor Typ / Formfaktor Intel Xeon E5-2623V3 Anz. der Kerne Quad-Core Anz. der Threads 8 Threads Cache-Speicher 10 MB Cache-Speicher-Details L3 - 10 MB Prozessoranz. 1 Taktfrequenz 3 GHz Thermal Design Power 105 W Architektur-Merkmale Hyper-Threading-Technologie, Intel Turbo Boost Technology 2.0, Intel Advanced Vector Extensions 2 (AVX2.0) Verschiedenes Zubehör
Kurzinfo: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378A5244CB0-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei Weitere Informationen Zustand Die Verpackung
Kurzinfo: Fujitsu - Memory - 1 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 - 1333 MHz / PC3-10600 - ungepuffert - nicht-ECC - für Celsius W280, W380, W480, ESPRIMO C5731, E3521, E5731, E7936, P2560, P3521, P5731, P7936 Gruppe RAM Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F4401-L1 Modell Fujitsu EAN/UPC 4049699192357 Produktbeschreibung: Fujitsu Memory - 1 GB - DIMM 240-PIN - DDR3 Speicherkapazität 1 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Leistungsmerkmale Ungepuffert Entwickelt für Celsius W280, W380, W480, ESPRIMO C5731 E-Star 5.0, E3521, E3521 E-Star 5.0, E5731, E5731 E-Star 5.0, E7936, E7936 E-Star 5.0, P2560, P3521, P3521 E-Star 5.0, P5731, P5731 E-Star 5.0, P7936, P7936 E-Star 5.0 Ausführliche Details Allgemein Speicherkapazität 1 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Speichergeschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Datenintegritätsprüfung
Meet the next generation CFast 2.0 specifications Read/write speeds of up to 510MB/370MB per second High storage capacities ranging from 128GB to 256GB Manufactured with high quality MLC NAND flash...