Lenovo Intel P4500 Entry - SSD - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 (7SD7A05777)

Kurzinfo: WD Ultrastar DC SS530 WUSTR6440ASS201 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 400 GB - intern - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - TCG Enterprise Gruppe Festplatten Hersteller Western Digital Hersteller Art. Nr. 0B40359 EAN/UPC Produktbeschreibung: WD Ultrastar DC SS530 WUSTR6440ASS201 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Online Transaction Processing (OLTP), Dual Port, High-Performance Computing (HPC), 24x7-Verfügbarkeit, Online Analytical Processing (OLAP), software-defined storage (SDS) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.45 mm x 15 mm Gewicht 175 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 400 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level

Kurzinfo: Origin Storage - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express (NVMe) - für Lenovo ThinkPad A485, E490, E590, L390, L390 Yoga, P1, P72, X1 Extreme, ThinkPad Yoga 260 Gruppe Festplatten Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. NB-9603DSSD-NVMEM.2 Modell Storage EAN/UPC 5056006169215 Produktbeschreibung: Origin Storage - Solid-State-Disk - 960 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Entwickelt für Lenovo Thinkpad 13 (2nd Gen), ThinkPad A275, A475, A485, E480, E485, E490, E570, E580, E585, E590, L380, L390, L390 Yoga, L470, L480, L570, L580, P1, P50, P51, P51s, P52, P52s, P71, P72, T460s, T470, T470p, T470s, T480, T480s, T570, T580, X1 Extreme, X1 Tablet (1st Gen), X1 Tablet (2nd Gen), X1 Tablet (3rd Gen), X1 Yoga (2nd Gen), X1 Yoga (3rd Gen), X260, X270, X280, ThinkPad Yoga 260, 370 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk

Kurzinfo: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZPLL3T2HMLS-00003 Modell PM1725a MZPLL3T2HMLS EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 167.75 mm x 18.71 mm Gewicht 330 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 167.75 mm Höhe 18.71 mm Gewicht 330 g Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 5 Interner Datendurchsatz 6200 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 1000000 IOPS

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 4 TB - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPERKX040T701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - 4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz Gewicht 225 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale

Kurzinfo: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7664BDP301 - Solid-State-Disk - 6.4 TB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1317 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7664BDP301 - Solid-State-Disk - 6.4 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 6.4 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction Processing (OLTP), Advanced ECC Engine, Online Analytical Processing (OLAP), NVM Express (NVMe), High Frequency Trading (HFT), flash-aware RAID Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 10.045 mm x 6.985 mm x 15 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 6.4 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction

Kurzinfo: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - intern - IDE Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54155 Modell IDE Flash Module EAN/UPC 4043619541553 Produktbeschreibung: DeLOCK IDE Flash Module - Solid-State-Disk - 2 GB - IDE Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 53 mm x 27 mm x 5.8 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 GB Schnittstelle IDE Breite 53 mm Tiefe 27 mm Höhe 5.8 mm Leistung Interner Datendurchsatz 40 MBps (lesen)/ 20 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000 Stunden Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x IDE/ATAPI - IDC 44-polig Stromversorgung Energieverbrauch 150 mAh (aktiv) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Antistatik-Abdeckung Umgebungsbedingungen Min Betriebstemperatur -10 °C Max. Betriebstemperatur 70 °C Schocktoleranz 50 g @ 10ms Dauer Vibrationstoleranz 5 g @ 7-200 Hz (in Betrieb)