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Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS201 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B32040 EAN/UPC 8717306637435 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS201 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), selbstverschlüsselnd, High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), TCG Enterprise Compliant, unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), TCG-Verschlüsselung Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk
Kurzinfo: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS128GMTE820 Modell MTE820 EAN/UPC 0760557839651 Produktbeschreibung: Transcend MTE820 - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, 3D NAND Technology, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung,
Kurzinfo: Fusion-io ioDrive2 - Solid-State-Disk - 785 GB - intern - PCI Express 2.0 x4 - für PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F4522-L781 Modell Fusion-io ioDrive2 EAN/UPC 4051554500900 Produktbeschreibung: Fusion-io ioDrive2 - Solid-State-Disk - 785 GB - PCI Express 2.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 785 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 2.0 x4 Entwickelt für PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 785 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Schnittstelle PCI Express 2.0 x4 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu PRIMERGY RX200 S7, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX4770 M1, RX500 S7, RX600 S6, RX900 S2
Hauptmerkmale Leistung SSD Speicherkapazität 120 GB Lesegeschwindigkeit 490 MB/s Schreibgeschwindigkeit 410 MB/s Speichertyp MLC Design Produktfarbe Edelstahl Weitere Spezifikationen Eingebaut Ja
SANDISK X600 SSD M.2 2280 1TB intern SATA 6Gb/s TLC (SD9SN8W-1T00-1122)
Kurzinfo: Seagate FireCuda 520 ZP500GM3A002 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 500 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - TCG Pyrite Encryption Gruppe Festplatten Hersteller Seagate Hersteller Art. Nr. ZP500GM3A002 EAN/UPC 8719706019989 Produktbeschreibung: Seagate FireCuda 520 ZP500GM3A002 - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - Halogen Free, TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3 Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Merkmale Halogen Free, TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Lokalisierung Weltweit Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 500 GB Hardwareverschlüsselung Ja NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Merkmale Halogen Free, TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
