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Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - intern - mSATA - SATA 3Gb/s - für FUTRO S900 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F3666-L4 Modell EAN/UPC 4051554209193 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - SATA 3Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Entwickelt für FUTRO S900 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 3 Gb/s - 52-polig Mini-SATA Kompatibles Schaltfeld mSATA Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu FUTRO S900
Kurzinfo: DeLOCK - Solid-State-Disk - 64 GB - intern - M.2 2242 (M.2 2242) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller DeLOCK Hersteller Art. Nr. 54714 Modell EAN/UPC 4043619547142 Produktbeschreibung: DeLOCK - Solid-State-Disk - 64 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 64 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2242 (M.2 2242) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Thermal sensor, Intelligentes Wiederherstellungssystem , S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 42 mm x 4.5 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 64 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2242 (M.2 2242) Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Thermal sensor, Intelligentes Wiederherstellungssystem , S.M.A.R.T. Breite 22 mm Tiefe 42 mm Höhe 4.5 mm Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Interner Datendurchsatz 200 MBps (lesen)/ 70 MBps (Schreiben) Zuverlässigkeit MTBF 3,000,000
Kurzinfo: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - intern - M.2 - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. NB-2TBM.2/NVME Modell Storage EAN/UPC 5056006148319 Produktbeschreibung: Origin Storage - Solid-State-Disk - 2 TB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 2 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2
Kurzinfo: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKR128G7XN EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure Erase Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure
Kurzinfo: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - PCI Express (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Other World Computing Hersteller Art. Nr. OWCS3DAPB4MB02 Modell Aura Pro X EAN/UPC 0812437028096 Produktbeschreibung: OWC Aura Pro X - Solid-State-Disk - 240 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Schnittstelle PCI Express (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, NVM Express (NVMe), Bootcamp Support Leistung Interner Datendurchsatz 1352 MBps (lesen)/ 1066 MBps (Schreiben) Software & Systemanforderungen Erforderliches Betriebssystem Apple MacOS X 10.13 oder höher
Kurzinfo: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - intern - mSATA (mSATA) - SATA-600 - SED Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ-MTE1T0BW Modell 840 EVO MZ-MTE1T0 EAN/UPC 8806085944732 Produktbeschreibung: Samsung 840 EVO MZ-MTE1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA-600 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial ATA-600 Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung 3-core MEX Controller, 1 GB Low Power DDR2 SDRAM Cache, TCG Opal Encryption 2.0, Physical Security ID (PSID) , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 29.85 mm x 3.85 mm x 50.8 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor mSATA (mSATA) Schnittstelle Serial