Memorysolution 4GB HP/Compaq Business Desktop 6005 Pro (SFF) (VN791ET, VN797ET)

Kurzinfo: MicroMemory - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - 1333 MHz / PC3-10600 - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller MicroMemory Hersteller Art. Nr. MMG2481/4GB Modell EAN/UPC 5712505031803 Produktbeschreibung: MicroMemory - DDR3 - 4 GB - SO DIMM 204-PIN - ungepuffert Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - SO DIMM 204-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Leistungsmerkmale Ungepuffert Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor SO DIMM 204-PIN Geschwindigkeit 1333 MHz (PC3-10600) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Ungepuffert Erweiterung/Konnektivität Kompatible Steckplätze 1 x Speicher - SO DIMM 204-PIN

PHS-memory 32GB RAM Speicher für HP Pavilion 15-cc012ng DDR4 SO DIMM 2666MHz PC4-2666V-S (SP293000)

MODERNE TECHNIK FÜR GRENZENLOSE KREATIVITÄT Unsere bislang leistungsstärkste SD?-UHS-I-Speicherkarte eröffnet Ihnen neue kreative Möglichkeiten. Die Aufnahmegeschwindigkeit von bis zu 90MB/s und di...

Kurzinfo: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378A5244CB0-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei Weitere Informationen Zustand Die Verpackung

Capture all of life’s precious moments securely with Samsung’s new range of high-performing and stylish memory cardsExtreme read & write speeds Samsung’s ultra-fast PRO Plus Card sets the standard for extreme sports & action photography. This UHS-I Speed Class 3 (U3) and Class 10 compatibility card is perfect for 4K UHD video recording & playback. And with blazing-fast read & write speeds of up to 100MB/s & 90 MB/s respectively, you can transfer files and shoot photos with minimal lag.4K Ultra HD video Capture the moments that matter. With the Samsung PRO Plus microSD Card, you can shoot rich and detailed 4K UHD videos from your smartphone, tablet, or action camera, confident that each memory will be safe. Play your videos back on your 4K UHD TV or monitor and relive the experience as vividly as the day it happened.Waterproof Samsung Memory Cards can survive up to 72 hours in seawaterTemperature-proof These memory cards can endure temperatures from -25° to 85° CelsiusX-Ray-proof Protect all your data from damage caused by airport X-ray machinesMagnet-proof Samsung Memory Cards can even resist magnetic fields of up to 15000 gauss—the equivalent of a high-field MRI scanner

Kurzinfo: HyperX Impact - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC Gruppe RAM Hersteller HyperX Hersteller Art. Nr. HX432S20IB/16 Modell HyperX Impact EAN/UPC 0740617278194 Produktbeschreibung: HyperX Impact - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Non-ECC Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL20 (20-22-22) Leistungsmerkmale Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Black PCB, sechzehn Bänke, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.18 Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Latenzzeiten CL20 (20-22-22) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Dual Rank, On-Die Termination (ODT), Black PCB, sechzehn Bänke, Intel Extreme