Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - SSD - verschlüsselt - 4 TB - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES

Kurzinfo: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - intern - 2.5"" (6.4 cm) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZWLL3T2HMJP-00003 Modell PM1725a MZWLL3T2HMJP EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZWLL3T2HMJP - Solid-State-Disk - 3200 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Datenübertragungsrate 32 Gbit/s Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100.2 mm x 14.8 mm Gewicht 190 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3200 GB Formfaktor 2.5"" (6.4 cm) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 100.2 mm Höhe 14.8 mm Gewicht 190 g Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 5 Übertragungsrate Laufwerk 32 Gbit/s (extern) Interner Datendurchsatz 3.3 GBps (lesen)/ 2.95 GBps (Schreiben) 4 KB Random Read 800000 IOPS

Kurzinfo: Transcend MTS820 - Solid-State-Disk - 120 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS120GMTS820S Modell MTS820 EAN/UPC 0760557839941 Produktbeschreibung: Transcend MTS820 - Solid-State-Disk - 120 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, Low-Density Parity Check, SLC-Cache, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 120 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, DDR3 DRAM Cache, DevSleep-Modus, Low-Density Parity Check, SLC-Cache, S.M.A.R.T. Breite 80 mm Tiefe 22

Kurzinfo: Samsung PM983 MZ1LB1T9HALS - Solid-State-Disk - 1.92 TB - intern - M.2 - PCI Express 3.0 x4 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZ1LB1T9HALS-00007 Modell PM983 MZ1LB1T9HALS EAN/UPC 8592978113957 Produktbeschreibung: Samsung PM983 MZ1LB1T9HALS - Solid-State-Disk - 1.92 TB - PCI Express 3.0 x4 Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 1.3 Interner Datendurchsatz 3000 MBps (lesen)/ 1400 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 480000 IOPS 4 KB Random Write 42000 IOPS Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express 3.0 x4 Kompatibles Schaltfeld M.2

Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 256 GB - M.2 - PCI Express (NVMe) - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26391-F3053-L850 Modell EAN/UPC 4059595485682 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express (NVMe) Typ Solid-State-Disk Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk Kapazität 256 GB Hardwareverschlüsselung Ja Formfaktor M.2 Schnittstelle PCI Express (NVMe) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express (NVMe) Kompatibles Schaltfeld M.2

Kurzinfo: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. MTFDDAV256TBN-1AR1ZABYY Modell Micron 1100 EAN/UPC 8592978058746 Produktbeschreibung: Micron 1100 - Solid-State-Disk - 256 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Dynamic and Static Wear Leveling, Secure Erase-Funktion, einstellbare thermische Überwachung, DEVSLP SATA-Energiesparmodus, Microsoft eDrive-kompatibel, dynamische Schreibbeschleunigung, ATA Security, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 1.35 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 16nm 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle SATA 6Gb/s Byte pro Sektor 512 Merkmale Dynamic

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B30068 EAN/UPC 8717306638067 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH HUSMH8080ASS204 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Exclusive-OR (XOR), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-D Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 164 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp 25nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s