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Memorysolution 1GB IBM/Lenovo 3000 K100 (P122BGE, P124BGE, P125BGE, P126BGE)
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 8 GB - DIMM 240-PIN - ECC Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS8192AIC101 Modell EAN/UPC 4047762490959 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 8 GB - DIMM 240-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 8 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung ECC Ausführliche Details Allgemein Kapazität 8 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Datenintegritätsprüfung ECC
Der Artikel MS4096SUP487 ist eine Speichererweiterung für SUPERMICRO DRAM X9DR3-LN4F+, X9DRi-LN4F+, X9DRW-3TF+, X9DRW-3LN4F+, welcher ab Werk mit 2GB RAM ausgestattet ist. Das System SUPERMICRO DRAM X9DR3-LN4F+, X9DRi-LN4F+, X9DRW-3TF+, X9DRW-3LN4F+ kann maximal auf 768GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 24 Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für SUPERMICRO DRAM X9DR3-LN4F+, X9DRi-LN4F+, X9DRW-3TF+, X9DRW-3LN4F+
Kurzinfo: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - ungepuffert - nicht-ECC Gruppe RAM Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. M378A5244CB0-CRC Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung - DDR4 - 4 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Leistungsmerkmale Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.23 Geschwindigkeit 2400 MHz (PC4-19200) Latenzzeiten CL17 (17-17-17) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Single Rank, sechzehn Bänke, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Spannung 1.2 V Verschiedenes Kennzeichnung Bleifrei, halogenfrei Weitere Informationen Zustand Die Verpackung
Kurzinfo: MemorySolutioN - DDR3 - 4 GB - DIMM 240-PIN - ECC - für Wortmann Y TERRA MINISERVER 1iX Gruppe RAM Hersteller MemorySolutioN Hersteller Art. Nr. MS4096WOT002 Modell EAN/UPC 4047762370381 Produktbeschreibung: MemorySolutioN - DDR3 - 4 GB - DIMM 240-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 4 GB Speichertyp DDR3 SDRAM - DIMM 240-PIN Erweiterungstyp Systemspezifisch Datenintegritätsprüfung ECC Entwickelt für Wortmann Y TERRA MINISERVER 1iX Ausführliche Details Allgemein Kapazität 4 GB Erweiterungstyp Systemspezifisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR3 SDRAM Formfaktor DIMM 240-PIN Datenintegritätsprüfung ECC Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Wortmann Y TERRA MINISERVER 1iX
Kurzinfo: Origin Storage - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - ungepuffert - ECC Gruppe RAM Hersteller Origin Storage Hersteller Art. Nr. OM16G42133SO2RX8E12 Modell Storage EAN/UPC 5056006109167 Produktbeschreibung: Origin Storage - DDR4 - 16 GB - SO DIMM 260-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung ECC Geschwindigkeit 2133 MHz (PC4-17000) Leistungsmerkmale Dual Rank , ungepuffert Spannung 1.2 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 2133 MHz (PC4-17000) Datenintegritätsprüfung ECC Besonderheiten Dual Rank , ungepuffert Chip-Organisation X8 Spannung 1.2 V
