HGST Ultrastar SA210 HBS3A1919A4M4B1 - SSD - verschlüsselt - 1.92 TB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.01

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKHW240A401 EAN/UPC 0735858258838 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 10 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology,

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 4 TB - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPERKX040T701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P4500 Series - Solid-State-Disk - 4 TB - PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale Temperature Monitoring and Logging, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz Gewicht 225 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express 3.1 x4 (NVMe) Merkmale

Kurzinfo: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - Hot-Swap - 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 7SD7A05777 Modell Intel P4500 Entry EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel P4500 Entry - Solid-State-Disk - 4 TB - U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection, thermische Drosselung, End-to-End-Datenpfadschutz, End-to-End-Datenschutz, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70 mm x 100 mm x 15 mm Gewicht 131 g Entwickelt für ThinkSystem SD530, SN550, SN850, SR570, SR590, SR650, SR850, SR950, ST550 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 4 TB Formfaktor 2.5"" / U.2 (6.4 cm / U.2) Schnittstelle U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Enhanced Power Loss Data Protection,

DELL 04HGTJ Interne Festplatte (04HGTJ)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo