Fujitsu enterprise - SSD - 400GB - Hot-Swap - 6,4 cm (2.5"") - SAS-3 - für PRIMERGY BX920 S3, RX200 S8, RX300 S7, RX300 S8, RX350 S7, RX350 S8, RX500 S7, TX300 S8 (S26361-F5297-L400)

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKR128G7XN EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive E 6000p Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure Erase Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Smart Response Technology, Rapid Start Technology, Remote Secure

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDSCKHW240A401 EAN/UPC 0735858258838 Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive 530 Series - Solid-State-Disk - 240 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.58 mm Gewicht 10 g Microsoft Zertifizierung Compatible with Windows 7 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 240 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Merkmale Native Command Queuing (NCQ), End-to-end data protection (ANSI), Intel Rapid Storage Technology,

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280