Crucial Micron 1100 - SSD - 256 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - SATA 6Gb/s (MTFDDAV256TBN-1AR1ZABYY)

Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31069 EAN/UPC 8717306634199 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD800MH.B HUSMH8010BSS200 - Solid-State-Disk - 100 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enterprise Class Reliability, Error Correction Code (ECC), High Endurance Technology (HET), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), unterbrechungsfreier Betrieb (24x7), T10 Data Integrity Field (DIF), CRYPTO-E Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 100 GB NAND-Flash-Speichertyp 20nm Multi-Level-Cell (MLC)

Kurzinfo: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - intern - 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0TS1355 EAN/UPC Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SN200 HUSMR7619BDP3Y1 - Solid-State-Disk - 1.92 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie, End-to-End-Datenpfadschutz, Online Transaction Processing (OLTP), Read-Intensive Endurance, Advanced ECC Engine, Mixed-Use, Online Analytical Processing (OLAP), NVM Express (NVMe), High Frequency Trading (HFT), flash-aware RAID Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 10.045 mm x 6.985 mm x 15 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm SFF (2.5"" SFF) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Secure Erase-Funktion, PowerSave-Technologie,

Kurzinfo: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 6Gb/s - CRU - für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 00Y2513 Modell Hitachi HUSML4020ASS60 EAN/UPC 4053162580190 Produktbeschreibung: Hitachi HUSML4020ASS60 - Solid-State-Disk - 400 GB - SAS 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Preistyp Customer-replaceable Unit (CRU) Entwickelt für Storwize V3700 SFF Dual Control Enclosure, V3700 SFF Expansion Enclosure Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 400 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 6Gb/s Leistung Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 6Gb/s Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Preistyp Customer-replaceable

Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität

Kurzinfo: WD Black NVMe SSD WDS250G2X0C - Solid-State-Disk - 250 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Western Digital Hersteller Art. Nr. WDS250G2X0C Modell WD Black NVMe SSD WDS250G2X0C EAN/UPC 0718037859057 Produktbeschreibung: WD Black NVMe SSD WDS250G2X0C - Solid-State-Disk - 250 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 250 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Western Digital Spectrum Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 2.38 mm x 22 mm Gewicht 7.5 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 250 GB Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, Western Digital Spectrum Breite 80 mm Tiefe 2.38 mm Höhe 22 mm Gewicht 7.5 g Leistung SSD-Leistung 200 TB Interner Datendurchsatz 3000 MBps (lesen)/ 1600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 220000 IOPS 4 KB Random Write 170000 IOPS Zuverlässigkeit

Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit