HPE Write Intensive - SSD - 1.6 TB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL20 Gen9, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9

Kurzinfo: Crucial MX500 - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 250 GB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Crucial Hersteller Art. Nr. CT250MX500SSD4 Modell MX500 EAN/UPC 0649528785084 Produktbeschreibung: Crucial MX500 - Solid-State-Disk - 250 GB - SATA 6Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 250 GB Hardwareverschlüsselung Ja Encryption Algorithm 256-Bit-AES NAND-Flash-Speichertyp Single-Level Cell (SLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle SATA 6Gb/s Datenübertragungsrate 600 MBps Merkmale TRIM-Unterstützung, Error Correction Code (ECC), Adaptive Thermal Protection, Microsoft eDrive-kompatibel, Redundant Array of Independent NAND, Multistep Data Integrity Algorithm, Active Garbage Collection, dynamische Schreibbeschleunigung, aufrüstbare Firmware, 3D NAND Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Datenschutz bei Stromausfall, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp

Kurzinfo: Lenovo - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 (M.2) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - für ThinkCentre M710, M715, M800, M810, M900, M910, V520-15, V520S-08 Gruppe Festplatten Hersteller Lenovo Hersteller Art. Nr. 4XB0N26469 Modell EAN/UPC Produktbeschreibung: Lenovo - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Entwickelt für ThinkCentre M710q 10MQ, 10MR, 10MS, M710s 10M7, 10M8, M710t 10M9, 10MA, M715q 10M2, 10M3, 10M5, M800 10FV, 10FW, 10FX, 10FY, M810z 10NX, 10NY, 10Q0, M900 10FC, 10FD, 10FG, 10FH, 10FL, 10FM, 10FR, 10FS, M910q 10MU, 10MV, 10N0, M910s 10MK, 10ML, M910t 10MM, 10MN, M910x 10N0, M910z 10NR, 10NS, 10NT, 10NU, V520-15IKL 10NK, V520S-08IKL 10NM, 10NN Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB Formfaktor M.2 (M.2) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Leistung Interner Datendurchsatz 2800 MBps (lesen)/ 1700

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 480 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - für PRIMERGY RX2530 M4 (2.5""), RX2540 M4 (2.5""), RX4770 M4 (2.5"") Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F5670-L480 Modell Fujitsu EAN/UPC 4059595386231 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 480 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 480 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Read-Intensive Endurance, Enterprise Entwickelt für PRIMERGY RX2530 M4 (2.5""), RX2540 M4 (2.5""), RX4770 M4 (2.5"") Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 480 GB Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Read-Intensive Endurance, Enterprise Leistung Drive Writes Per Day (DWPD) 1 Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Kompatibles Schaltfeld 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Verschiedenes Zubehör im Lieferumfang Hot-Plug

Kurzinfo: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - intern - M.2 2280 (M.2 2280) - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Intel Hersteller Art. Nr. SSDPEKKA128G701 EAN/UPC Produktbeschreibung: Intel Solid-State Drive DC P3100 Series - Solid-State-Disk - 128 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm Gewicht 10 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 128 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 (M.2 2280) Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale Read Unrecoverable Bit Error Rate (UBER) 10e-15, 256-Bit-AES Tiefe 22 mm Höhe 80 mm Gewicht 10 g Leistung Interner Datendurchsatz 720 MBps (lesen)/ 55 MBps

Die SanDisk Optimus MAX (SDLLOCDR-038T-5CA1) ist die optimale SSD für Ihr Rechenzentrum, da sie sehr belastbar und extrem zuverlässig ist. Mit ihren 4 TB sind webbasierte Anwendungen, Data-Warehousing und Medienstreaming ein Kinderspiel. Nennenswerte Eigenschaften der SanDisk Optimus MAX Die Kapazität von 4 TB ermöglicht eine Vielzahl von Workloads, welche auf weniger physische Server geladen werden können. Das führt zu niedrigerem Platzbedarf, dies wiederum zu geringerem Stromverbrauch, weniger Kühlung, seltenere Wartung und daher sinken auch die Kosten. So wird Ihr Rechenzentrum energiesparend und doch effizient. Durch ständige Optimierung und Entwicklung bietet SanDisk Optimus MAX herausragende Leistung, Zuverlässigkeit und Genauigkeit. Die integrierte Guardian Technologie bietet viele Funktionen, die die Lebensdauer der SSD verlängert, die Datenintegrität rt und die Zuverlässigkeit erhöht. Dies wird durch die Optimierung der Leistung auf Zellebene erreicht. Die Lese- und Schreibgeschwindigkeit