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Netac DDR4 Memory 8GB 2400MHz MT/s 1.2V PC4-19200 UDIMM 288-pin for Desktop
Speed in styleA modern take on a classic. The next generation BAR Plus elevates the flash drive to an everyday essential, offering impressive speed and striking design. The metal unibody is pure minimalism in a drive that cleverly blends style, speed and reliability.Move files in a flashGet your time back. Fast and convenient read speeds up to 300 MB/s¹ with the latest USB 3.1 standard give you more time to work, play, watch, and create. Send a 3GB 4K UHD video file from your Bar Plus to your PC in just 10 seconds².Quick. And ready.Rugged refinementAs strong as it is stylish. The sturdy metal body keeps your data safe and intact, and the integrated keyring prevents accidental misplacement or loss. The BAR Plus is the ideal combination of stunning design and worry-free durability.Tough & TrustedFiles stay secure, anywhere you go. Samsung’s leadership in flash memory makes the BAR Plus a trustworthy drive to store your valuable data. It works through it all with a waterproof¹, shock-proof², temperature-proof³, magnet-proof⁴, and X-ray-proof⁵ body, all backed by a 5-year limited warranty⁶Capacity - 128GB (1GB=1,000,000,000 bytes) * Actual usable capacity may be less (due to formatting, operating system, applications or otherwise) Interface - USB 3.1 Gen 1 (backward compatible with USB 3.0/2.0) Connector - Standard A Dimension (WxHxD) - 15.60 X 40.01 X 11.70mm Weight - Approx. 10g Performance Speed - Up to 200MB/s read speed for USB 3.1, write speed is lower than read speed. *Actual speed may vary by host device and actual usage conditions. Temperature - Withstands -25°C to 85°C (-13°F to 185°F) operating,-40°C to 85°C (-40°F to 185°F) non-operating Magnetic - 15,000 G (Gauss) X-ray - 80KV, 50uA, 4W, 500 sec Radiation time Water - 1m depth 3% NaCl salt water, 72hrs Shock - Acceleration :1,500 g (gravity), Duration time : 0.5ms, Direction : x,y,z 3 times Certification - EMC, KC, FCC, CE, VCCI, RCM Warranty - 5 years limited ¹Up to 300 MB/s for 256/128GB models, up to 200 MB/s for 64/32GB models. ²Minimum of 10 secs for 256/128GB models, minimum of 14 secs for 64/32GB models (tested with combination of Asus Z370-G, Intel [email protected], 8GB DDR4 and Windows 10 Enterprise 64bit)
100% Genuine PNY product. Supplied brand new in sealed retail packaging complete with a useful MicroSD to full size SD card adapter. Also a manufacturers 5 year warranty! The PNY Elite performance 256GB Class 10, UHS-I, U1 microSD Flash Memory card is perfect for the latest smartphones, tablets, action cameras, drones and more.It features 256GB of storage, giving you more available space on your mobile device so you can enjoy more mobile content such as apps, eBooks, web video, music and movies.U1 technology is perfect for full HD video recording and HD photography, allowing you to capture high quality HD video and photos with your action camera, drone, or other mobile device. The Elite microSD card is rated Class 10, U1, which guarantees fast transfer speeds of up to 100MB/s so you can quickly transfer and share your content while you're on the go.
Offiziell lizenzierter Speicher für Ihr PS4™-System
Game Drive ist eine externe Festplatte zur Erweiterung der Speicherkapazität für alle Versionen der PS4™-Konsole (Softwareversion 4.50 oder höher). Mit der Kapazität zum Installieren von mehr als 50 Spielen können Sie jederzeit und sofort auf eine Bibliothek von Klassikern und aktuellen Neuerscheinungen zurückgreifen.¹ High- Speed-USB 3.0 bedeutet ein atemberaubendes Gaming-Erlebnis - genau wie beim Spielen über die interne Festplatte Ihrer Konsole. Die Einrichtung dauert nur etwa drei Minuten. Schließen Sie die Game Drive einfach an einen beliebigen PS4™-USB-Anschluss an und folgen Sie den kurzen Anleitungsschritten.
¹ Basierend auf der durchschnittlichen Speicheranforderung von 39 GB für PS4™-Spiele, die im oder vor Juni 2018 erschienen sind.
² Auf Inhalte, die auf dem Gerät gespeichert wurden, kann anschließend nur über das Konto zugegriffen werden, über das sie auf das Gerät übertragen wurden.
Kurzinfo: G.Skill Ripjaws V - DDR4 - 16 GB : 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN - 3000 MHz / PC4-24000 - CL15 - 1.35 V - ungepuffert - nicht-ECC - gunmetal-grau Gruppe RAM Hersteller G.Skill Hersteller Art. Nr. F4-3000C15D-16GVGB Modell Ripjaws V EAN/UPC 4719692006318 Produktbeschreibung: G.Skill Ripjaws V - DDR4 - 16 GB : 2 x 8 GB - DIMM 288-PIN Produkttyp RAM-Speicher Kapazität 16 GB : 2 x 8 GB Speichertyp DDR4 SDRAM - DIMM 288-PIN Erweiterungstyp Generisch Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Geschwindigkeit 3000 MHz (PC4-24000) Latenzzeiten CL15 (15-16-16-35) Leistungsmerkmale Dualer Kanal, Intel Extreme Memory Profiles (XMP 2.0), Gunmetal-grauer Wärmeverteiler , ungepuffert Spannung 1.35 V Ausführliche Details Allgemein Kapazität 16 GB : 2 x 8 GB Erweiterungstyp Generisch Speicher Typ DRAM Technologie DDR4 SDRAM Formfaktor DIMM 288-PIN Modulhöhe (Zoll) 1.65 Geschwindigkeit 3000 MHz (PC4-24000) Latenzzeiten CL15 (15-16-16-35) Datenintegritätsprüfung Nicht-ECC Besonderheiten Dualer Kanal, Intel Extreme
Der Artikel MS2048TYA276 ist eine Speichererweiterung für TYAN Toledo i3210W (S5211), welcher ab Werk mit 0MB RAM ausgestattet ist. Das System TYAN Toledo i3210W (S5211) kann maximal auf 8GB RAM aufgerüstet werden. Für die maximale Speicheraufrüstung verfügt das Gerät über 4 (2of2) Steckplätze. Teilweise sind die Herstellerangaben zur maximalen Speichererweiterung veraltet und können evtl. von unseren Angaben abweichen. Warum? Weil die Technik immer schneller fortschreitet oder die Revisionen der Speicherhersteller sich einfach so schnell ändern, dass sie kaum mit der Zertifizierung nachkommen bzw. werden ältere Modelle gar nicht mehr neu validiert. Hier springt Memorysolution mit ausgedehnten Tests ein und rt Ihnen die kontinuierliche Verfügbarkeit der Aufrüstung, weit über den Produktionszyklus der Hersteller hinaus. Unser qualifiziertes Speichermodul für TYAN Toledo i3210W (S5211) ist auch unter Volllast uneingeschränkt funktionstüchtig und entspricht absolut den Spezifikationen des