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Kurzinfo: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - intern - mSATA - SATA 3Gb/s - für FUTRO S900 Gruppe Festplatten Hersteller Fujitsu Hersteller Art. Nr. S26361-F3666-L4 Modell EAN/UPC 4051554209193 Produktbeschreibung: Fujitsu - Solid-State-Disk - 4 GB - SATA 3Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Entwickelt für FUTRO S900 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 4 GB Formfaktor mSATA Schnittstelle SATA 3Gb/s Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SATA 3 Gb/s - 52-polig Mini-SATA Kompatibles Schaltfeld mSATA Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Fujitsu FUTRO S900
Kurzinfo: ADATA XPG GAMMIX S11 PRO - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller ADATA Hersteller Art. Nr. AGAMMIXS11P-256GT-C Modell XPG GAMMIX S11 PRO EAN/UPC 4710273770758 Produktbeschreibung: ADATA XPG GAMMIX S11 PRO - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, SLC-Cache, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 6.1 mm Gewicht 11 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, SLC-Cache, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3 Breite 80 mm Tiefe 22 mm Höhe 6.1 mm Gewicht 11 g Leistung
Kurzinfo: HGST Ultrastar SSD1600MR HUSMR1680ASS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - intern - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s Gruppe Festplatten Hersteller HGST Hersteller Art. Nr. 0B31077 EAN/UPC 4053162868892 Produktbeschreibung: HGST Ultrastar SSD1600MR HUSMR1680ASS200 - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Enhanced Availability (EA) für Datenzugriff rund um die Uhr, Error Correction Code (ECC), T10 End-to-End-Datenschutz, erweiterte Datenverwaltung bei Stromausfall, Crypto Sanitize, Exclusive-OR (XOR), T10 Data Integrity Field (DIF) Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 70.1 mm x 100.6 mm x 15 mm Gewicht 187 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale
Micron SSD 2200 M.2 2280 NVMe 1TB (MTFDHBA1T0TCK-1AT1AABYY)
Kurzinfo: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - Hot-Swap - 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) - SAS 12Gb/s - mit HPE Smart Carrier - für ProLiant DL160 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, XL190r Gen10 Gruppe Festplatten Hersteller Hewlett Packard Enterprise Hersteller Art. Nr. 873355-B21 Modell HPE Write Intensive EAN/UPC Produktbeschreibung: HPE Write Intensive - Solid-State-Disk - 800 GB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 800 GB NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC) Formfaktor 2.5"" SFF (6.4 cm SFF) Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Digitally Signed Firmware, HPE SmartSSD Wear Gauge Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 15 mm Kombiniert mit HPE Smart Carrier Entwickelt für ProLiant DL120 Gen9, DL160 Gen9, DL180 Gen9, DL20 Gen9, DL360 Gen9, DL380 Gen9, DL560 Gen10, DL580 Gen10, ML110 Gen10, ML110 Gen9, ML150 Gen9, ML350 Gen9, XL190r Gen10 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität
Kurzinfo: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - intern - PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZPLL3T2HMLS-00003 Modell PM1725a MZPLL3T2HMLS EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM1725a MZPLL3T2HMLS - Solid-State-Disk - 3.2 TB - PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 167.75 mm x 18.71 mm Gewicht 330 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 3.2 TB Formfaktor PCIe-Karte (HHHL) (PCIe Karte (HHHL)) Schnittstelle PCI Express 3.0 x8 (NVMe) Merkmale V-NAND Technology Breite 69.85 mm Tiefe 167.75 mm Höhe 18.71 mm Gewicht 330 g Leistung Laufwerkaufzeichnungen pro Tag 5 Interner Datendurchsatz 6200 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben) 4 KB Random Read 1000000 IOPS