Intel Solid-State Drive DC P4101 Series - SSD - verschlüsselt - 256GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3,1 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES (SSDPEKKA256G801)

Kurzinfo: HP Z Turbo Drive Quad Pro - Solid-State-Disk - 1 TB (2 x 512 GB M.2) - intern - PCIe-Karte (PCIe-Karte) - PCI Express Gruppe Festplatten Hersteller HP Inc. Hersteller Art. Nr. 4YZ39AA Modell HP Z Turbo Drive Quad Pro EAN/UPC Produktbeschreibung: HP Z Turbo Drive Quad Pro - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB SSD-Module Konfiguration 2 x 512 GB M.2 NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB NAND-Flash-Speichertyp TLC (Triple-Level Cell) Formfaktor PCIe-Karte (PCIe-Karte) Schnittstelle PCI Express Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x PCI Express Kompatibles Schaltfeld PCIe-Karte (PCIe-Karte)

Die Samsung 960 EVO SSD eignet sich, durch die Breite von 22 mm und die Länge von 80 mm, ideal zum Einbau in Desktops oder Notebooks. Dazu müssen diese nur einen M.2-Steckplatz besitzen. Weitere Informationen über die Samsung 960 EVO 500GB Die Samsung 960 EVO SSD erreicht beim Lesen der Daten eine Rate von 3200 MByte pro Sekunde und beim Schreiben eine Rate von 1800 MByte/s. Dank des NVMe-Protokolls, welches Bandbreiten bis zu 4 GByte/s zulässt, besitzt dieses SSD eine viel höhere Performance als herkömmliche mit AHCI-Interface. Zudem verfügt die Samsung 960 EVO SSD über einen PCI-Express 3.0 Anschluss, wodurch auch mehr Leistung erzielt wird. Außerdem sorgen der V-NAND-Flash-Speicher der dritten Generation und der innovative Polaris-Controller mit fünf Kernen für extrem hohe Datenraten. Die neue Cache-Technik „Intelligent TurboWrite“ verwendet einen Teil des Reservespeichers und beschreibt diesen mit einem Bit pro Zelle. Somit gelingt dies viel schneller als bei herkömmlichen SSDs, wo

Kurzinfo: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - verschlüsselt - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0 Gruppe Festplatten Hersteller Samsung Hersteller Art. Nr. MZVLB1T0HALR-00000 Modell PM981 MZVLB1T0HALR EAN/UPC Produktbeschreibung: Samsung PM981 MZVLB1T0HALR - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm Gewicht 9 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 1 TB Hardwareverschlüsselung Ja Verschlüsselungsalgorithmus 256-bit AES-XTS NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280

Kurzinfo: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Kingston Hersteller Art. Nr. SA1000M8/960G Modell A1000 EAN/UPC 0740617277296 Produktbeschreibung: Kingston A1000 - Solid-State-Disk - 960 GB - PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22 mm x 80 mm x 3.5 mm Gewicht 7.6 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 960 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x2 (NVMe) Merkmale 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe), Phison E8 Controller Breite 22 mm Tiefe 80 mm Höhe 3.5 mm Gewicht 7.6 g Leistung SSD-Leistung 600 TB Interner Datendurchsatz 1500 MBps (lesen)/ 1000 MBps (Schreiben)

Kurzinfo: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Gruppe Festplatten Hersteller Transcend Hersteller Art. Nr. TS256GMTE850 Modell MTE850 EAN/UPC 0760557838326 Produktbeschreibung: Transcend MTE850 - Solid-State-Disk - 256 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Typ Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, S.M.A.R.T. Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 80 mm x 22 mm x 3.58 mm Gewicht 8 g Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - intern Kapazität 256 GB NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) Formfaktor M.2 2280 Schnittstelle PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung,

Kurzinfo: Dell - Solid-State-Disk - 1.92 TB - Hot-Swap - 6.4 cm (2.5"") - SAS 12Gb/s - für PowerEdge FD332 Gruppe Festplatten Hersteller Dell Hersteller Art. Nr. 400-ANMY Modell EAN/UPC 5397064004330 Produktbeschreibung: Dell - Solid-State-Disk - 1.92 TB - SAS 12Gb/s Typ Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Datenübertragungsrate 1.2 GBps Merkmale Mixed-Use Entwickelt für PowerEdge FD332 Ausführliche Details Allgemein Gerätetyp Solid-State-Disk - Hot-Swap Kapazität 1.92 TB Formfaktor 6.4 cm (2.5"") Schnittstelle SAS 12Gb/s Merkmale Mixed-Use Leistung Übertragungsrate Laufwerk 1.2 GBps (extern) Erweiterung und Konnektivität Schnittstellen 1 x SAS 12 Gb/s Kompatibles Schaltfeld 6.4 cm (2.5"") Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Dell PowerEdge FD332